PITO膜成膜过程中O2分压对ITO膜质影响.docVIP

PITO膜成膜过程中O2分压对ITO膜质影响 　　摘 要：文章研究了在实际生产过程中，真空磁控溅射设备下制备ITO膜时，高温成膜过程中环境中的氧气分压对ITO薄膜的光电特性的影响。P-ITO指的是结晶状态的ITO膜，在高温环境下ITO膜成膜工艺，也就是常说的高温成膜工艺，在成膜过程中结晶，通过调整成膜过程中O2的分压制备所需的ITO膜。 　　关键词： 直流磁控溅射；基板温度；氧气分压；方块电阻；透过率 　　中图分类号：TN949.199 文献标识码：B 　　 　　The Impact of Partial O2 Pressure in ITO Deposition Process 　　 　　ZHAO Yang, WU Dong-qi, GAO Xue-song 　　(Beijing BOE Display Technology Co., Ltd., Beijing 100176, China) 　　 　　Abstract: In this paper, the optical and electrical properties of ITO thin films prepared by DC magnetron sputtering on various conditions, various partial O2 pressure, are investigated in real production. P-ITO means ITO in crystalline state. ITO deposition process in high temperature is ussally called high temperature deposition process, in which ITO crystallizes. By adjusting partial O2 pressure, expected ITO films can be made. 　　Keywords: DC magnetron sputtering deposition; substrate temperature; O2 pressure; square resistance; transmittance 　　 　　引 言 　　 　　 ITO（indium tin oxide）是一种重参杂的n型半导体材料，它具有较宽的带隙（3.5～4.3eV），较高的载流子密度（1021cm-3）。ITO薄膜具有优良的导电性，高的可见光透过率，以及高的机械强度和化学稳定性。作为透明导电薄膜，可以作为功能性的电极，也可以作为非功能性的屏蔽电场作用，广泛应用于平板显示器件中。 　　 近年来，大尺寸平板显示器发展迅速，在高透过率，低电阻率和大面积均匀性等光电性能上对ITO薄膜提出了更高的要求。而且由于彩色滤光片中使用的有机材料不耐高温，所以对于某些类型的液晶面板，能够低温沉积显得尤为重要。一般而言，导电性提高，透光度便下降，反之亦然。可见光具有80%以上的透光率，其比电阻低于1×10-4Ω/cm，是良好透明导电膜。 　　1 ITO薄膜的导电及结晶机理 　　 　　 在In2O3形成过程中，没有构成完整的理想化学配比结构，晶格中缺少氧原子，因此具有一定的导电性。将SnO2掺杂在 In2O3中，高价的Sn4+离子替换In3+的位置，形成一个正电荷中心Sn4+和一个多余的价电子，因此在In2O3中掺入SnO2是增加了净电子，使晶粒导电性增加。 　　 ITO薄膜在高温沉积过程中，会在成膜过程中实现结晶，Sn在ITO膜中主要以会直接以SnO2的形式存在，所以不需要经过退火处理，直接可以得到较低阻值、较高可见光透过率的目的。 　　 　　2 实 验 　　 　　 本实验采用直流磁控溅射法，在溢流下拉熔制法制造的平板玻璃上沉积ITO薄膜。所用靶材为ITO陶瓷靶（In2O3与SnO2质量百分比为90:10），纯度为99.99%，玻璃基板尺寸为2,200mm×2,500mm×0.7mm，沉积前基板经过AP Plasma、清洗剂清洗、漂洗及吹干。溅射过程中充入氩气作为工作气体，工作气压为0.5Pa，溅射功率密度为0.3349W/cm2，靶面与基板距离为50mm，沉积前预溅射0.5小时，用于清除靶面脏污。设备成膜过程中为在线式，分A/B两个面，glass在经过A面时温度为120℃，在经过B面时温度为230℃，无后退火处理。 　　 　　3 分析与讨论 　　 　　3.1 基板温度分布的影响 　　 基板温度差异在15℃以内，基板在heating chamber内会迅速上升到120℃，在R chamber内会迅速上升到230℃，所以能够保证成膜