品质管理部检验教本a-243a3.pptVIP

将硅片展开：整体检查硅片边缘线痕、崩边、污 片情况。 破片：无法使用 孔洞 裂纹、暗裂 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕。 缺口 缺口与缺角：晶片边缘呈现贯穿两面的局部破损，称为缺口。 缺角 崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出。 油污多发生在季节变换的时期，温度变化较大的环境中，所以油污的产生除了有些公司使用的切割液本身存在的问题外，大部分都是生产过程当中的控制问题了，而这些问题当中最主要的原因就是硅片在去胶过程中冲洗不到位 线痕分杂质线痕、划伤型线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕 线痕 □杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。 □表现形式：（1）线痕上有可见黑点，即杂质点。 ???????? （2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。 ???????? （3）以上两种特征都有。 ???????? （4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。 □改善方法：（1）改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。 ???????? （2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。 □其它相关：硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中出现“切不动”现象。如未及时发现处理，可导致断线而产生更大的损失。 □划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中，SIC颗粒“卡”在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。 □表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。 □改善方法：（1）针对大颗粒SIC，加强IQC检测；使用部门对同一批次SIC先进行试用，然后再进行正常使用。 ???????? （2）导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够；SIC水分含量超标，砂浆配制前没有进行烘烤；PEG水分含量超标（重量百分比0.5%）；SIC成分中游离C（0.03%）以及2μm微粉超标。 □其它相关：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等，各项性能对于切片都有很大的影响。 □密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。 □表现形式：（1）硅片整面密集线痕。 ??? ?????????（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。 ???????????? （3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。 ???????????? （4）部分不规则区域密集线痕。 ???????????? （5）硅块头部区域密布线痕。 ?□ 改善方法：（1）硅片整面密集线痕，原因为砂浆本身切割能力严重不足引起，包括SIC颗粒度太小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等，可针对性解决。 ???????????（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。原因为砂浆切割能力不够，回收砂浆易出现此类情况，通过改善回收工艺解决。 ???????????（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。原因为切片机 台内砂浆循环系统问题，如砂浆喷嘴堵塞。在清 洗时用美工刀将喷嘴内赃物划向两边。 ???????????（4）部分不规则区域密集线痕。原因为多晶硅锭硬度不均匀，部分区域硬度过高。改善铸锭工艺解决此问题。 ?????????? （5）硅块头部区域密布线痕。切片机内引流杆问题。 □错位线痕：由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水，造成液压装置与托板不能完全夹紧，以及托板螺丝松动，而产生的线痕。 □? 改善方法：规范粘胶操作，加强切片前检查工作，定期清洗机床。 □边缘线痕：由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。 □ 表现形式：一般出现在靠近粘胶面一侧的倒角处，贯穿整片硅片。 □ 改善方法：规范粘胶操作，加强检查和监督。 □线痕深度测试仪可以对硅片进行线痕深度的测试。 台阶，一般头尾片会出现台阶片 亮线，粗糙度≤10μm合格 □台阶的出现，是由切片过程中的钢线跳线引起，而导致钢线跳线的原因，包括设备、工艺、物料等各方面的问题，部分如下： □ 1、砂浆问题： 砂浆内含杂质过多，没有经过充分过滤，造成钢线跳线。 □改善方法：规范砂浆配制、更换，延长切片的热机时间和次数。 □ 2、硅块杂质问题： 硅块的大颗粒杂质会引起跳线而产生台阶。 □改善方法：改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。 □ 3、线、砂工艺匹配问题： ??? 钢线、砂浆型号不匹配造成切片跳线，此种情况很少出现 翘曲度：硅片中心面与基准面最大最小距离的差距的差值 弯曲度：硅片中心面明显凹凸变形的一种变量。 微晶：晶粒小于2㎜2具有一定分布面积 分散型微晶：大晶粒上分布的具有特定“