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全数字化多晶硅还原电源控制系统设计 　　本文针对行业普遍使用的改良西门子生产方法，设计出一套多晶硅还原电源控制系统。该系统包括多晶硅还原电源控制器、光电转换装置和触摸屏人机界面，该系统根据生产工艺流程利用PID闭环控制算法和电压叠层原理控制电流在目标值。控制器采集电压、电流和启停控制信号，接收DCS或人机界面给定的目标电流，通过PID算法计算出晶闸管导通角，并以光信号的形式发出；光信号经过光电装换装置转成电信号去触发晶闸管的导通，从而实现控制电流的目的。现场运行结果表明，该控制系统性能可靠，电源利用率高。 　　【关键词】还原炉 电源控制器 叠层控制 光电转换 　　1 引言 　　由于长期以来国外对中国在多晶硅生产技术方面的封锁，我国在相关技术装备制造、工艺技术突破及相关配套设备上存在着规模小、水平低、能耗大及可靠性差等缺点，这使得我国多晶硅生产线绝大部分均需要采购国外设备，设备采购以及设备维护的价格都非常昂贵，并且无法做到及时服务，影响整个产业的健康发展。多晶硅还原炉加热控制系统是多晶硅生产的核心控制系统，关系到最终产品的质量以及生产成本。基于上述原因，本文介绍一种新型的多晶硅电源控制系统实现方法，以低成本、高可靠性、实用性为设计原则，充分利用计算机技术、电力电子技术和通讯技术，设计出一套全数字化多晶硅还原电源控制系统。该系统已成功在多晶硅多个项目现场安全可靠运行，实践证明该系统性能稳定、故障率低、能源利用率高、电源谐波少、功率因数高等特点，大大节约了生产成本和维护成本。 　　2 多晶硅控制系统介绍 　　2.1 多晶硅生产流程 　　目前我国大部分厂家采用的多晶硅生产工艺是改良西门子法，其原理就是在1080℃左右的高纯硅芯上用高纯氢气还原高纯三氯氢硅，生成的多晶硅沉积在硅芯上。但在未投入加热电源时，高纯的硅芯电阻率很高，需要经过特殊方式加热或者使用高压电将其击穿随着硅芯温度的升高，硅芯阻值逐渐降低，降到合适的范围后，由常规低压电源为其提供持续的热量，使其保持在1080℃左右进行还原反应，生成多晶硅。还原炉电源系统就是在完成高压击穿后为其还原反应提供稳定可调电源的作用。 　　2.2 还原电源系统特点 　　还原炉是整个还原系统的核心设备，负载为串联的硅棒，在整个还原过程中，系统有以下特征： 　　（1）硅棒直径由细变粗，电阻值由几十欧变为几十毫欧；由于电阻变化范围大，要求控制系统电压、电流变化范围宽，在采用晶闸管调压时，存在谐波电流大和功率因数低等问题。 　　（2）硅棒表面温度要维持1080℃，加热功率达100kW～2000kW，设备功率大，电能消耗成了多晶硅生产的主要成本之一，为了降低成本，节能降耗需提高电源转换效率。 　　（3）硅棒还原过程周期长，运行时间达10天左右，对还原系统要求可靠性高，故障率低。 　　2.3 还原电源控制方式 　　本文设计的多晶硅电源控制器就采用五档电压的叠层控制方式。叠层控制方式还原炉电源控制使用比较多的一种方式，这种方式主要采用了电压叠层控制技术，这种还原电源系统运行时，电流波形由一组晶闸管全导通和一组晶闸管移相波形组成（当晶闸管在移相到0°和180°切换时仅一组晶闸管导通）。叠层控制还原电源系统。这种控制方式由控制系统自动调节晶闸管的移相与切换，切换过程平滑、无冲击，在整个调节过程中，负载电压处于叠加状态，系统谐波小，功率因数高；而且变压器抽头少，转换效率高。叠层控制对控制精确要求高，否则系统容易产生环流造成档间短路危害变压器。 　　3 多晶硅还原电源控制系统实现 　　3.1 还原电源系统整体方案 　　还原炉电源控制系统示意，如图1所示。还原炉控制系统由全数字化多晶硅电源控制器、光电转换装置和触摸屏人机界面组成。 　　整个控制流程如下：DCS根据生产工艺流程将目标电流值传给PLC逻辑控制器，PLC逻辑控制器再通过Profibus通讯模块将目标电流值传送至多晶硅电源控制器，多晶硅电源控制器根据反馈电流与目标电流之间的差值通过PID闭环控制算法计算出需要触发档位及其触发角度，然后将触发脉冲以光信号的形式传输至光电转换装置。光电转换装置负责将光信号转换成电脉冲信号，用电信号去控制晶闸管的导通角从而实现实际电流与目标电流保持一致。触摸屏人机界面与多晶硅电源控制器通过RS485接口连接，基于Modbus通讯协议进行数据交换，实现运行状态和相关数据的实时监视和控制。 　　3.2 多晶硅电源控制器方案 　　多晶硅电源控制器是整个系统的核心，主要实现电压、电流采集，还原炉启停信号采集，故障告警信号输出，电流闭环PID控制算法实现，电压叠层原理控制算法实现，晶闸管触发档位计算以及触发光信号的输出，同时要与PLC通过Profibus通信进行数据交互，与触摸屏人机界面进行Modbus