11晶体硅太阳电池的基本原理和制造工艺流程.docxVIP

PAGE PAGE 2 第一章 晶体硅太阳电池的基本原理和制造工艺流程 晶体硅太阳电池已经成为当今光伏工业的主流，随着单晶硅、多晶硅太阳电池工厂的新近投资，这种作用还将持续下去[1] Martin A. Green，Present and Future of Crystalline Silicon Solar Cells， Technical Digest of the International PVSEC-14, Bangkok, Thailand, 2004 PL-4。从1954年Chapin，Fuller和Pearson研制成功硅PN结太阳电池以来，这一利用p- [1] Martin A. Green，Present and Future of Crystalline Silicon Solar Cells， Technical Digest of the International PVSEC-14, Bangkok, 关于太阳电池的基本特性，Hovel已作出了全面的论述[2] H. J. Hovel, Solar Cells, in R. K. Willardson and A. C. Beer, Eds., Semiconductors and Semimetals. Vol. 11. Academic, New York, 1975: “ [2] H. J. Hovel, Solar Cells, in R. K. Willardson and A. C. Beer, Eds., Semiconductors and Semimetals. Vol. 11. Academic, New York, 1975: “Photovoltaic Materials and Devices for Terrestrial Applications.” IEEE Tech. Dig. Int. Electron Device Meet.,1979. p. 3. 晶体硅太阳电池的器件结构 晶体硅太阳电池的基本结构见图1.，它由扩散法在表面形成的浅PN结，正面欧姆接触栅格电极，覆盖于整个背面的欧姆接触电极以及正面减反射膜构成。 图1. 硅PN结太阳电池基本结构 图2. PERT太阳电池结构 高效率晶体硅太阳电池则有着更为复杂的结构和制造流程，如钝化发射极太阳电池PESC (passivated emitter solar cell) ，钝化发射极和背面太阳电池PERC (passivated emitter and rear cell)，钝化发射结背面点接触太阳电池PERL (passivated emitter, rear locally-diffused) cells，钝化发射极背面全扩散太阳电池PERT (passivated emitter, rear totally-diffused) cells，具有本征层的(a-Si)/ (c-Si)异质结太阳电池(HITTM电池)，倾斜蒸发电极MIS-n+p 太阳电池OECO（obliquely-evaporated-contact），V型机械刻槽埋栅电极太阳电池(Buried Contact Solar Cell with V-grooved surface)，背面接触电极太阳电池(Backside Contact Solar Cell)等等。这些高效率晶体硅太阳电池，主要特点是充分考虑到引起光电转换效率损失的因素，在器件结构上进行了仔细的设计。图2.、 图3.所示分别为PERT太阳电池、 PERL太阳电池结构。 图3. PERL太阳电池结构 图4.丝网印刷电极太阳电池结构 目前商业化生产的大多数晶体硅太阳电池，采用1970年代开发出的丝网印刷电极结构，见图4。这种结构的太阳电池具有制造过程简单，设备产能较高的优点。缺点是采用丝网印刷的正面电极在解决金属—半导体接触电阻和PN结的光电特性以及遮光问题之间不能令人满意。 激光刻槽埋栅电极太阳电池，见图5，是澳大利亚新南威尔士大学光伏研究中心Martin A. Green教授及其研究团组，在1980年代将实验室高效晶体硅太阳电池技术低成本应用于商业生产的一个范例。这种太阳电池的优点是正面兼有轻掺杂的受光区域和重掺杂的电极接触区域（激光刻槽），因此，在改善金属—半导体接触电阻时，