USB接口固态盘原型系统设计与实现-计算机系统结构专业论文.docxVIP

华 华 中 科 技 大 学 硕 士 学 位 论 文 4 4 1 绪论 1.1 课题背景 在过去的近二十年间，CPU、主存等部件基本按照摩尔定律[1]在性能和集成度上快 速提高，处理器性能和内存容量都提升了近千倍。同时，借助垂直磁记录技术，硬盘的 单盘容量也从 10MB 发展到现在的 1.5TB，增长了约 10 万倍。但是这些令人引以为傲 的数据却掩盖不住一个事实，那就是硬盘的数据存取速率进步缓慢，磁盘的寻道时间和 定位时间，这么多年以来几乎没有变化。随着其它硬件性能突飞猛进地提升，这个瓶颈 显得越来越突出了。尽管人们陆续开发出 SATA、光纤磁盘等等新技术来缓解这一矛盾， 但是硬盘本身的机械结构却使得这些高速外部接口并不能充分发挥它们的速度优势。而 固态存储器恰好弥补了磁盘的众多缺点，提供高读写速度与可靠性，极有可能在将来取 代磁盘成为主流的信息存储设备。 广义的固态存储应包括所有不含机械部件的存储设备，其读写方式及存储介质都不 同于传统的磁介质存储器。传统的磁盘或磁带的读写过程靠磁头与盘片或磁带间的相对 运动来完成，而固态存储设备不含机械部件，使用半导体器件(如 RAM、FLASH 等)作 为存储介质，单纯依靠电信号来完成数据读写。在非易失性存储设备中，基于闪存 (FLASH)的固态存储器应用更为广泛，并且受到“硬盘(Hard Disk Drive)”一词的影响， 业界常将此类固态存储器称为固态盘(Solid State Disk 或 Solid State Drive)，简称 SSD。 后文中将使用“固态盘”一词特指基于闪存(FLASH)的固态存储设备。 由于闪存的存储密度大、功耗低、掉电数据不丢失以及抗震性好，在嵌入式设备领 域早已经非常普及。近年来，随着闪存的存储密度进一步增加，单片存储容量达到 8G 字节以上，才使得它能够被应用于固态盘。常见的闪存有两种：或非型(NOR)和与非型 (NAND)。这两种闪存不仅在存储单元的组织结构上有不同，芯片的外部接口也大不相 同。现阶段，包括固态盘在内的几乎所有大容量数据存储设备(如 U 盘、SD 卡等)都使 用的是 NAND 型闪存，因为 NAND 型闪存的容量更大，价格更低。所以，如无特殊说 明，后文中“闪存(FLASH)”一词也特指 NAND FLASH。 固态盘作为一种新兴的技术，不论在技术上还是市场份额上，国内外都处于初级阶 段，现有的生产商也都是在近几年内才陆续投入到固态盘开发中的。固态盘的最显著优 势就是它可以达到很高的存取速度，IO 吞吐能力甚至可以比传统磁盘高出两个数量级， 这将可以大幅提升系统的整体性能。但是固态盘的设计同样也面临很多挑战，比如寿命 有限，读写速率不对称等。这些挑战主要来源于闪存介质本身的一些固有的缺陷，包括 先擦除后写入、读写速度差距大、材料老化速度快等[2]，这些特点也使得闪存不能直接 PAGE PAGE 10 与现有的系统无缝连接。为了能够兼容现有的计算机系统，现阶段的固态盘设计方案大 多沿用传统磁盘的外部接口(如 SATA、PATA)。在主机端看来，这种类型的固态盘与传 统磁盘没有区别，是一个以扇区为单位的块设备。为了达到这种“伪装”的效果，固态 盘中需要设计一个中间层，即所谓的 FTL(FLASH Translation Layer)。FTL 的主要作用包 括地址映射、损耗均衡、垃圾回收、缓冲区管理等，这些都是研究的热点。 1.2 固态盘技术简介 1.2.1 闪存的存储原理 快闪存储器(FLASH Memory)是一种电可擦除的非易失性半导体存储器，也简称闪 存。闪存具有大容量、低价格、低功耗等优势，是传统的 EPROM(Erasable PROM )的理 想替代产品。文献[2]中对闪存的存储原理做了详细的讲述。闪存不仅具有更高的存储密 度，而且存储单元的组织方式也发生了变化，使用了块和页的组织方式。 N （Channel） P （Si-Substrate）  控制栅 浮栅 N  20V 0V 0V N N （Tunneling） P （Si-Substrate） 0V  20V  0V N N （Tunneling） P （Si-Substrate） 20V  20V Floating Gate Programming (c) Erasing 图 1.1 浮栅 MOS 管的结构及其充放电过程 闪存的存储位为单个浮栅 MOS 场效应管（如图 1.1a）。浮栅 MOS 管不同于普通的 MOSFET，它在栅极(控制栅)和漏/源极之间增加了浮栅(Floating Gate)，可以保存电荷。 浮栅被 SiO2 氧化膜包围，与控制栅、漏/源极、以及衬底间都是绝缘的，其中的电荷不 容易流失，可以保存很长时间(自然状态下 10