Sol-Gel法制备NiZn铁氧体薄膜技术研究 电子信息材料与元器件专业论文.docxVIP

分类号 密级 UDC 学 位 论 文 Sol-Gel 法制备 NiZn 铁氧体薄膜技术研究 （题名和副题名） 聂 小 亮 （作者姓名） 指导教师姓名 兰中文 教授 电子科技大学 成都 （职务、职称、学位、单位名称及地址） 申请学位级别 硕士 专业名称 电子信息材料与元器件 论文提交日期 2008.3 论文答辩日期 2008.4 学位授予单位和日期 电子科技大学 答辩委员会主席 教授 评阅人 2008 年 月 日 注 1 注明《国际十进分类法 UDC》的类号 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 关于论文使用授权的说明 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 I I 摘要 摘 要 本论文采用溶胶-凝胶(sol-gel)甩胶工艺制备 NiZn 铁氧体薄膜。研究了溶胶配 制、甩胶及退火工艺对 NiZn 铁氧体薄膜性能的影响，同时研究了 Ti 和 Sn 掺杂对 NiZn 铁氧体薄膜性能的影响，从中探索提高 NiZn 铁氧体薄膜饱和磁化强度 Ms 和 降低矫顽力 Hc 的有效途径。 论文在固定主配方(Ni0.5Zn0.5Fe2O4)基础上，围绕提高 NiZn 铁氧体薄膜饱和磁 化强度 Ms 和降低矫顽力 Hc 这个目标展开，系统研究了溶胶的配制、甩胶过程、 退火工艺、掺 Ti、掺 Sn 以及 ZnFe2O4 衬底层对 NiZn 铁氧体薄膜微结构和磁性能 的影响。对干凝胶晶化过程的差热-热重(DSC-TG)分析表明：干凝胶在 560℃开始 结晶。在溶胶配制中，选择合适的溶胶浓度、搅拌温度以及陈化时间可以得到均 匀稳定的溶胶，这是溶胶-凝胶法薄膜制备技术中的关键。聚乙二醇(PEG)的加入可 以改善溶胶中金属离子的分布情况，使其分布均匀，从而改善薄膜性能。甩胶过 程直接影响薄膜均匀性和薄膜的厚度，并最终影响到薄膜性能，选择合适的甩胶 速度、甩胶时间、沉积次数以及与薄膜晶格常数和热膨胀系数接近的基片，可以 减少薄膜内部应力，提高薄膜性能。在退火工艺上，升温速率直接影响成核数量， 退火温度和保温时间决定薄膜的结晶程度和晶粒的大小，而低的淬火温度有利于 降低薄膜内部的应力，合理的退火处理工艺为：以 2℃/min 的升温速率升到 700℃， 保温 1 小时后随炉自然冷却到室温。非磁性离子 Ti4+和 Sn4+的加入，使得 AB 超交 换作用减弱，同时引起薄膜样品晶格常数增加，使得 NiZn 铁氧体薄膜的饱和磁化 强度降低。随 Ti4+离子加入量的增加薄膜矫顽力下降，而随 Sn4+离子加入量的增加 薄膜矫顽力却上升。ZnFe2O4 衬底层的加入能够阻止基片与薄膜之间的扩散，同时 降低基片与薄膜之间由于晶格不匹配带来的应力，从而提高薄膜的性能。 通过对溶胶-凝胶法制备 NiZn 铁氧体薄膜技术的研究及工艺优化，最终得到 的薄膜样品的主要指标为：饱和磁化强度 Ms 386emu/cm3，矫顽力 Hc 78Oe。 关键词：Sol-gel，NiZn 铁氧体薄膜，高饱和磁化强度，低矫顽力 II II ABSTRACT ABSTRACT In this dissertation, for the purpose of enlarging saturation magnetization and reducing coercivity of NiZn ferrite thin films, the effect of process parameters, doping and underlayer on the proerties of NiZn ferrite thin films prepared by sol-gel method were investigated. Based on the formulation of Ni0.5Zn0.5Fe2O4, to realize the object of high saturation magnetization