SOI高压薄层LDMOS可靠性的研究-微电子与固体电子学专业论文.docxVIP

摘要 摘要 I I 摘 要 由于 SOI LDMOS 器件具有开关速度快、功耗低、介质隔离性好以及易于集 成等优点，在电子驱动、电源管理和汽车电子等领域得到广泛的应用。SOI LDMOS 器件经常工作在高温、大电流等条件下，所以对器件的可靠性具有很高的要求。 本文针对这一问题，研究了 SOI 高压薄层 pLDMOS 和 nLDMOS 的可靠性。用 KEITHLEY 4200-SCS 半导体特性分析系统对器件进行应力测试，利用仿真软件 Silvaco 进行二维仿真，分析了器件的可靠性机制。主要研究内容如下： （1）SOI 高压薄层场 pLDMOS 器件的可靠性机理 本文从热载流注入效应、自热效应和界面电荷三个角度对 SOI 高压薄层 pLDMOS 器件的可靠性进行研究。高压应力测试结果显示器件的阈值和比导通电 阻随着时间分别增大和减小。通过仿真和电荷泵测试，揭示了其退化机理。阈值 退化的原因是沟道栅氧处产生界面态和界面电荷，而比导通电阻退化的原因是积 累层场氧处产生了负的界面电荷。其次，研究了器件静态和动态自然效应。当器 件处于开关态时，器件的晶格温度由器件开态维持的时间决定，工作几个脉冲周 期后，器件的温度变化逐渐稳定。最后研究了不同位置的界面/氧化层电荷对器件 击穿电压、阈值和比导通电阻的影响。 （2）SOI 高压薄层 nLDMOS 器件的可靠性机理 研究了 SOI 高压薄层 nLDMOS 器件的耐压与漂移区浓度和埋氧层厚度的关 系。通过对不同漂移区浓度和不同埋氧层厚度条件下器件的耐压分析，得到该结 构中最优的漂移区浓度和埋氧层厚度。同样从静态自热效应和动态自热效应两个 角度对 nLDMOS 器件的自热效应进行了仿真分析。对 nLDMOS 的热载流子效应 也进行了测试和仿真分析。 （3）减小热载流子注入的新结构研究 LDMOS 器件在沟道末端和漂移区均会发生热载流子注入效应，通过对器件 热载流子效应的分析，提出了两种改变热载流子注入效应的结构。一种是在 Corner 引入轻掺杂的结构，一种是在 Corner 区使用高 K 介质层。从工艺兼容的角度考虑， 在 Corner 引入轻掺杂的结构更为理想。 关键词：SOI LDMOS，可靠性，自热效应，热载流子注入 AB ABSTRACT II II ABSTRACT SOI LDMOS devices provides fast switching time, loe power dissipation, dielectric isolation and ease of integration, widely applied in motor driver, power supplies, and automotive sector. The devices often work in high tempreture, heavy current and so on, so it is has very strong requirement for reliability of devices. In this thesis, failure machanism of thin layer SOI pLDMOS and nLDMOS in switching circuit. The degradation of electrical parameters is tested by KEITHLEY and some special failure is observed using 2-dimension simulator. reliability of the SOI high voltage thin layer pLDMOS device The reliability of the SOI pLDMOS includes hot carrier injection effect, self-heating, interface charge between Si and SiO2 in this study. Stress test shows that the threshold and on-resistance of the device are increase and decrease respectively. It reveals degradation mechanism by simulation and chaige pump testing. The case of the threshold and on-resistance degradation are interface ststes and interface charge in ga