γ-In2Se3溶液相调控合成和机理研究-无机化学专业论文.docxVIP

摘 摘 要 Ⅰ Ⅰ 摘 要 本论文的研究目标是探索和发展一种新的溶液相合成 γ-In2Se3 纳米材料的 简单方法。研究中以乙醇溶剂热为体系研究不同反应条件对所制备 γ-In2Se3 纯相， 切顶角六方双锥、球花多级结构的 γ-In2Se3 的形貌影响，并通过对所制备产物的 进行表征和分析，探明球花多级结构的 γ-In2Se3 生长机理。主要内容总结如下： 1.以四水合氯化铟，硒粉，乙醇为原料，在220 oC 下反应20 h 可以得到纯 相的 γ-In2Se3。反应温度，反应时间，反应物原料比例和浓度对产物的纯相合成 影响较大。当 InCl3: Se 粉的比例为1 : 1时产物不仅有 γ-In2Se3，还有 β-In2Se3 和 InSe；InCl3: Se 粉的比例为2: 3 时，产物是 γ-In2Se3 和 Se 的混合物；高的 InCl3: Se 粉的比例（4: 1）有利于得到纯相；温度低于220 oC 时，Se 粉未能完全反应； 时间少于12 h 时产物中也有硒粉未反应完全。此外还考察了加入其它反应溶剂， 柠檬酸和聚乙二醇对产物形貌影响。 2. 在抗坏血酸的辅助下，以四水合氯化铟，硒粉 220 oC 下反应 20 小时首 次合成出球花多级结构的 γ-In2Se3。在该体系里，抗坏血酸同时作为还原剂和吸 附剂。SEM, TEM 和 HRTEM 等结果表明，球花多级结构的 γ-In2Se3 是由六方相 γ-In2Se3 纳米片组装而成。详细的时间追踪实验表明，球花多级结构是有普通球 状的 In2Se3 通过 Ostwald 熟化转变而来。反应体系中的抗坏血酸的量和氯化铟的 量对产物形貌的影响也做了仔细的研究。最后通过还通过将产物制备成膜测试了 其电学性质，膜的电导率为 2.6 × 10-6 S cm-1。 关键词：γ-In2Se3、乙醇溶剂热、抗坏血酸、球花多级结构 ABS ABSTRACT Ⅱ Ⅱ ABSTRACT The aim of this thesis is to develop a novel solution method for the synthesis of gamma phase indium selenide (γ-In2Se3) nanostructures. The effects on the structure and morphology of the γ-In2Se3 nanocrystals are investigated in the ethanol-solvothermal system route via the variation of reaction parameters. A possible growth mechanism of the γ-In2Se3 nanostructures is also proposed based on the characterization and analysis of products obtained in the process. The main contents of this work are summarized as follows: Pure γ-In2Se3 is fabricated by the reaction of indium chloride and selenium powders in the 220 °C for 20 h in an ethanol-solvothermal system. The purity of the product is largely influenced by the reaction temperature, time and the quantity of reaction sources. When the ratio of InCl3: Se is 1: 1, the product is a mixture of γ-In2Se3, β-In2Se3 and InSe. While the ratio of InCl3: Se is 1 : 1, we obtain γ-In2Se3 and Se. The pure γ- In2Se3 can be easily attained when the ratio of InCl3: Se is 4: 1. However, with the high ratio of of InCl3: Se, pure γ- In2Se3 is not synthesized if the temperature is lower than 220 oC nor the reaction time