YBCO超导带材缓冲层的生长控制研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

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YBCO超导带材缓冲层的生长控制研究-微电子学与固体电子学专业论文

独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方 外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 作者签名: 日期: 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘, 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 作者签名: 导师签名: 日期: 年 月 日 摘 摘 要 I I 摘 要 以 YBa2Cu3O7-δ(YBCO)为代表的第二代高温超导带材具有优异的电学性能, 在电力传输、电能存储、强磁场等领域有着非常广阔的应用前景。为获得高性能 的 YBCO 超导带材,必须制备出高质量的缓冲层来传递双轴织构以及阻挡基带和 超导材料间的互扩散。目前在制备过程中仍然存在大量的瓶颈问题需要解决:如 晶粒间夹角的控制、新型缓冲层结构的选取和制备、成本的降低等。本论文基于 轧制辅助双轴织构(RABiTS)路线,从薄膜的生长工艺入手,对薄膜织构、表面 形貌的调控机制以及缓冲层对超导薄膜载流能力影响的机理开展了系统的研究工 作。主要内容如下: 1、采用直流磁控反应溅射法在双轴织构的 Ni-5at.%W(NiW)基带上制备双 面 CeO2/YSZ/Y2O3 薄膜,通过调整水分压、溅射气压和沉积温度等工艺条件,进 行了三层缓冲层结构的生长控制研究。在最优工艺条件下制备的 Y2O3 薄膜面外织 构为 1.5o,面内织构为 4.8o,表面均方根粗糙度 Rrms 为 2 nm。并通过对 Y2O3 薄膜 应力变化与薄膜生长机理的分析,建立两种生长模型阐述 Y2O3 薄膜面外织构大幅 度改善的原因。采用溅射原子扩散、成核的理论模型对 CeO2 薄膜表面形貌及晶粒 变化进行了理论分析,并结合工艺实验实现了平整致密模板层的制备,表面均方 根粗糙度 Rrms 小于 3 nm。为制备高质量的 YBCO 带材提高了保证。 2、利用超导电流在 YBCO 中传输模型计算了晶界夹角对 YBCO 薄膜载流能 力的影响,并通过对比在具有不同织构缓冲层样品制备 YBCO 薄膜的临界电流密 度,从实验上对计算结果进行验证。 进行了对缓冲层表面形貌对 YBCO 载流能力影响的规律进行研究,选取不同 表面形貌的 CeO2/YSZ/Y2O3 缓冲层,在其上采用相同的工艺制备 YBCO 薄膜,利 用高分辨 X 射线衍射谱计算不同样品的螺型位错与刃型位错密度,理论分析了不 同表面粗糙度对 YBCO 位错密度的影响,对比不同样品 YBCO 薄膜的临界电流密 度,解释了缓冲层表面粗糙度对 YBCO 薄膜临界电流密度影响的原因。最后在最 优双面多层缓冲层上制备的 YBCO 薄膜双面临界电流密度 Jc 一致,双面临界电流 Ic 值为 500 A/cm-width。 3、为了解决直流溅射中靶材中毒导致沉积速率下降的难题以实现缓冲层的快 速高质量制备,采用交流中频磁控反应溅射制备 Y2O3 种子层,研究中频电压、溅 射气压对 Y2O3 薄膜取向和表面形貌的影响规律。Y2O3 种子层制备效率提高到直流 溅射的 3 倍,从 5 m/h 的制备效率提升到 15 m/h,甚至最高可达到 50 m/h,这对于 II II YBCO 超导带材的工业化具有非常重要的意义。在中频溅射制备的 Y2O3 薄膜上成 功制备了良好的面内外织构的 YSZ 阻挡层和 CeO2 模板层,进一步证明了中频磁 控反应溅射技术能够快速制备高质量缓冲层的优点。 4、简化缓冲层制备工艺以降低工艺成本,并提高带材的工程实用性,提出了 全导电 TiN/SrRuO3(SRO)缓冲层新结构,并采用脉冲激光沉积技术进行了验证。 研究不同制备工艺下 TiN 种子层的生长规律,XRD 测试结果表明 TiN 和 SRO 具 有良好的面内外织构,SRO 表面粗糙度 Rrms 小于 5 nm。I-V 曲线测试全导电缓冲 层 SRO/TiN 在常温具有良好的导电特性。在其上采用直流溅射法制备 YBCO 薄膜, R-T 曲线表明采用全导电缓冲层的超导带材在转变温度附近电阻率仅约为 2×10-5 Ω?cm。全导电缓冲层结构为 YBCO 超导带材缓冲层技术提出了新的途径。 关键词:YBCO 超导带材,CeO2/YSZ/Y2O3 缓冲层,SRO/TiN 缓冲层 AB ABSTRACT P

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