平板显示技术基础第09章多种薄膜晶体管.ppt

液晶显示器件阵列工艺 王丽娟 第9章 多种薄膜晶体管 长春工业大学 王丽娟 2013年02月10日 a-Si:H TFT 手机驱动模块 * * 平板显示技术基础，2013年，北京大学出版社 本章主要内容 9.1 多晶硅薄膜晶体管 9.2 氧化物薄膜晶体管 9.4 有机薄膜晶体管 9.3 化合物薄膜晶体管 9.1 多晶硅薄膜晶体管 挑战 1）存在小尺寸效应 2）关态电流大 3）低温大面积制作困难 4）设计和研发成本高 特点 1）高迁移率 2）容易p型和n型掺杂 3）自对准结构 4）抗光干扰能力强 5）抗电磁干扰能力强 n沟道p-Si TFT p沟道p-Si TFT 漏极 源极 源极 源区（n+） 漏区（n+） 漏区（p+） 源区（p+） Key Requirement a-Si TFT Image Quality Low Power Compact Digital Data Low Voltage Low cost Robust Design speed ? ? X ? ? 0 0 ? 行驱动 IC 列驱动 IC 9.1 多晶硅薄膜晶体管 需要独立的驱动IC Key Requirement LTPS Image Quality Low Power Compact Digital Data Low Voltage Low cost Robust Design speed ? ? ? ? ? ? ? ? 9.1 多晶硅薄膜晶体管 LTPS TFT 手机驱动模块 行驱动 IC 列驱动 IC 周边驱动与显示区域集成一体化 9.1 多晶硅薄膜晶体管 像素结构 LOS区域（LDD） 漏极 源极 子栅极 栅极 1. 交叠结构与自对准结构 2. 偏移结构和LDD结构 3. 部分a-Si:H沟道结构 4. 子栅极结构 5. 多栅极结构 沟道区（p-Si） 栅极 自对准结构 LDD结构 子栅极结构 9.1 多晶硅薄膜晶体管 叠层存储电容结构 Cs2 Cs1 Clc M2 M3 ITO 共用电极 M1 ITO M3 ITO 第三介质层 第二介质层 SiNx介质层 源漏金属M2 第一介质层 绝缘层 金属M3 多晶硅 栅极M1 金属M1为栅极金属，M2为源漏电极， M3为第三层金属； 金属层M3有两种作用：1）充当薄膜晶体管的的遮光层，相当于彩膜基板上的黑矩阵，彩膜基板不用再制作黑矩阵，节省了材料及成本；2）作为存储电容的一个电极，与公共信号线相连。 9.1 多晶硅薄膜晶体管 叠层存储电容结构 存储电容由两个并联的存储电容相叠构成； 存储电容Cs1：为源漏金属M2和金属层M3，中间夹着的SiNx介质层构成； 存储电容Cs2：由金属层M3和像素电极ITO，中间夹着的第三介质层构成。 液晶像素电容Clc：由阵列基板的像素电极ITO和彩膜基板上共用电极，中间夹着液晶材料构成。 Cs2 Cs1 Clc M2 M3 ITO 共用电极 M1 ITO M3 9.2 氧化物薄膜晶体管 三星的透明氧化锌TFT的AMOLED 不透明 不透明 不透明 透明 透明度 低 一般 高 低 成本 1 1 ＞102 1~102 迁移率cm2/Vs 差 一般 较好 好 稳定性 接近室温 350°C左右 大于550°C 接近室温 工艺温度 有机物 非晶硅 多晶硅 氧化物 半导体材料 1. 磁控溅射法 2. 脉冲激光沉积技术 3. 分子束外延技术 4. 溶胶-凝胶法 9.3 化合物薄膜晶体管 氨水为0.1mol/L和 0.7mol/L时CdS薄膜的SEM 1935年P. K. Weimer的第一个薄膜晶体管为采用硫化镉（CdS）的化合物薄膜晶体管。 另外，还有CdSe等半导体材料的化合物薄膜晶体管 。 9.4 有机薄膜晶体管 索尼公司可以卷曲的OTFT OLED显示器 并五苯(pentacene) 酞菁化合物 (phthalocyanince compound) 聚噻酚(Poly(3-alkyl)thiophene) 常见的有机薄膜晶体管的材料 9.4 有机薄膜晶体管 玻璃或柔性衬底 玻璃或柔性衬底 栅绝缘层 有机半导体 有源层 源电极 漏电极 柵电极 源电极 漏电极 （a）顶接触结构 （b）底接触结构 玻璃或柔性衬底 玻璃或柔性衬底 柵电极 栅绝缘层 有机半导体 有源层 源电极 漏电极 源电极 漏电极 （a）顶接触结构 （b）底接触结构 真空蒸镀 溶液旋涂 有机薄膜的制备方法 微接触印刷术 Cr 栅极 制备源漏电极 沉积有机半导体溶液 聚合物溶液滴入沟道内 图案化金属 有机薄膜的制备方法 （a）酞菁锌(ZnPc)，（b）联六苯(p-6P) 薄膜形貌对迁移率的影响 （c）2nm p-6P；（d）3nm ZnPc/2nm