光电子技术指导书-五邑大学.DOCVIP

PAGE PAGE I 《光电子技术实验》指导书 编者：洪建勋 葛华 李成军 吴友宇 武汉理工大学信息工程学院 2007年7月 目录 TOC \o 1-3 \h \z HYPERLINK \l _Toc173684944 实验一 光源特性测试 PAGEREF _Toc173684944 \h 1 HYPERLINK \l _Toc173684945 实验二 光电探测原理实验 PAGEREF _Toc173684945 \h 7 HYPERLINK \l _Toc173684946 实验（一） 光照度测试 PAGEREF _Toc173684946 \h 8 HYPERLINK \l _Toc173684947 实验（二） 光电二极管光电特性测试 PAGEREF _Toc173684947 \h 10 HYPERLINK \l _Toc173684948 实验（三） 光电二极管伏安特性测试 PAGEREF _Toc173684948 \h 14 HYPERLINK \l _Toc173684949 实验（四） 光电池光电特性测试 PAGEREF _Toc173684949 \h 16 HYPERLINK \l _Toc173684950 实验（五） 光电池伏安特性测试 PAGEREF _Toc173684950 \h 19 HYPERLINK \l _Toc173684951 实验三 光电探测器直流特性测试 PAGEREF _Toc173684951 \h 22 HYPERLINK \l _Toc173684952 实验四 光电倍增管特性参数测试 PAGEREF _Toc173684952 \h 25 HYPERLINK \l _Toc173684953 实验五 电光调制实验 PAGEREF _Toc173684953 \h 29 HYPERLINK \l _Toc173684954 实验六 光电报警系统设计实验 PAGEREF _Toc173684954 \h 34 实验一 光源特性测试 一、实验目的 1、测试LD/LED的功率－电流（P-I）特性曲线和电压－电流（V-I）特性曲线，计算阈值电流（Ith）和外微分量子效率。 2、了解温度（T）对阈值电流（Ith）和光功率（P）的影响。 二、实验内容 1、测试在LD/LED的功率－电流（P-I）特性曲线和电压－电流（V-I）特性曲线。 2、测试LD温度特性。 三、实验仪器 1、LD激光二极管（带尾纤输出，FC型接口） 1只 2、LED发光二极管 1只 3、LD/ LED电流源 1台 4、温控器（可选） 1台 5、光功率计 1台 6、积分球（可选） 1个 7、万用表 1台 四、实验原理 激光二极管LD和发光二极管LED是光通讯系统中使用的主要光源。LD和LED都是半导体光电子器件，其核心部分都是P-N结。因此其具有与普通二极管相类似的V-I特性曲线，如图所示： 图1 图1 LD/LED的V-I特性曲线 VT V I 由V-I曲线我们可以计算出LD/LED总的串联电阻R和开门电压VT。 在结构上，由于LED与LD相比没有光学谐振腔。因此，LD和LED的功率与电流的P-I关系特性曲线则有很大的差别。LED的P-I曲线基本上是一条近似的线性直线。 LD LD LED Ith P 图2 LD/LED的P-I特性曲线 I I 从图中可以看出LD的P-I曲线有一阈值电流Ith，只有在工作电流IfIth部分，P-I曲线才近似一根直线。而在IfIth部分，LD输出的光功率几乎为零。 对于LD可以根据其P-I曲线可以求出LD的外微分量子效率ηD。其具有如下关系： 因此在曲线中，曲线的斜率表征的就是外微分量子效率。 由于光电子器件是由半导体材料制成，因此