电子封装用铝基复合材料的研制-材料科学与工程专业论文.docxVIP

上海交通大学 上海交通大学 万方数据 万方数据 学位论文原创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文《电子封装用铝基复合材料的研 制)) ，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除 文中己经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经 发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体， 均己在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本 人承担。 学位论文作者签名:吟习功 日期. 2...01叶年 2 月叫日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同 意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允 许论文被查阅和借阅。本人授权上海交通大学可以将本学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存和汇编本学位论文。 保密口，在一一年解密后适用本授权书。 本学位论文属于 不阳回( (请在以上方框内打 叫】钮PJ创 叫 】钮 P J创 力旬 签 教 导 指 同月JM叫，，立〉期1叫…w日期:哇。lt年 同月 J M叫 ，，立 〉 期 1 叫 …w 万方数据 万方数据 电子封装用铝基复合材料的研制 摘 要 电子封装领域要求材料有高的热导率和低的热膨胀系数，同时还 要有良好的机械强度和相对低的密度，以满足封装需求。金属基复合 材料能够通过调节增强体种类和体积分数，来调节其性能。本文主要 通过研究制备高体积分数的 SiC/Al 和 Diamond/Al 复合材料，来进行 对电子封装用铝基复合材料的探索研究。 通过大小两种碳化硅颗粒(F320：#1000=2：1)的级配，采用凝胶 注模工艺进行碳化硅预制件的制备，通过对凝胶注模工艺的优化，制 备出体积分数达到 60%的碳化硅预制件，且素坯中碳化硅颗粒分布均 匀，质量良好，烧结后碳化硅预制件尺寸稳定，机械强度满足后续加 工和浸渗要求。最终制备了碳化硅体积分数为 60%、55%、50%的预 制件。 复合材料的制备采用真空压力浸渗法，参数为铝液温度 750℃， 预制件保温温度 680℃，浸渗压力 10Mpa 氮气压，最终试样随炉冷却。 最终制备体积分数为 60%、55%、50%的 SiC/Al(AC4C)复合材料，以 及体积分数为 40%的 Diamond/Al(纯度 99.99%)复合材料(包括 35、85、 135μm 三种粒径的普通研磨级金刚石和 115μm MBD4 等级金刚石)。 实验制备的 SiC/Al 复合材料颗粒分布均匀，界面结合良好，界 面结合层厚度在 300nm 左右，界面有少量 Al4C3，界面断裂以大颗粒 碳化硅的脆断为主，还有小颗粒周围基体铝的塑性断裂；复合材料力 I 万方数据 万方数据 学性能良好，其中体积分数 55%的 SiC/Al 复合材料弯曲强度最高， 达到 301.63MPa；热膨胀系数随体积分数的增加而降低，体积分数 60% 、 55% 、 50%SiC/Al 复 合 材 料 对 应 CTE 值为 8.99 、 9.5 、 10.04×10-6K-1(30℃-150℃)；热导率随体积分数的增加而增加，最高体 积分数 60%的复合材料对应热导率 133W/m?K。用来对照的掺有 β-SiC 的复合材料除了在热导率方面稍微领先一点，热膨胀性能和力 学性能都不如掺有 α-SiC 的复合材料。 制备的 Diamond/Al 复合材料界面结合弱，复合材料致密度不高， 界面断裂以金刚石和铝的脱粘为主，但是 MBD4 等级的金刚石(100) 面和铝容易结合，且结合牢固；在相同体积分数情况下，Diamond/Al 复合材料的热导率随着金刚石粒径的增大而升高，热膨胀系数随着金 刚石粒径的增大而变大，这是因为大颗粒金刚石界面较少，界面的存 在 会 降 低 热 导 率 ， 阻 碍 复 合 材 料 热 膨 胀 。 其中 MBD4 等级的 Diamond/Al 复合材料热导率最高，为 136 W/m?K，热膨胀系数最低 为 6.86×10-6K-1，其综合热性能最好，这是因为 MBD4 等级金刚石(100) 面和铝结合良好。由此可见，在界面润湿差的情况下，提高金刚石和 铝的界面结合有利于提高最终复合材料的热学性能。 关键词：电子封装，SiC/Al，Diamond/Al，凝胶注模，热学性能，弯 曲试验 II 万方数据 万方数据 FABRICATION AND RESERCH OF ALUMINUM MATRIX COMPOSITES USED IN ELECTRONIC PACKAGE ABSTRACT Materials used in electronic package field demand for high TC and low C