各向异性磁阻传感器的应用——从设想到实践7.pptVIP

各向异性磁阻传感器的应用——从设想到实践 指导教师：刘进老师 合作者： 物理系：刘奇 电子系：虞南方 裴轶 各向异性磁阻传感器(AMR) 原理： *Anisotropic Magnetoresistive Effect——各向异性磁阻效应 *Unlike the Hall effect,AMR is fundamentally a quantum-mechanical effect. *spin-orbit interactions between the electron trajectory (orbit) and the magnetization (spin). 传感器原理 各向异性磁阻传感器是将铁镍合金薄膜沉积在硅基底上构成的，沉积的时候薄膜以条带的形式排布，形成一个平面的线阵以增加磁阻的感知磁场的面积。 传感器原理 当外部磁场加到这样的铁磁性薄膜上的时候，磁畴旋转，改变空间取向，这样使得薄膜条带构成的线阵的表观电阻发生改变。具体的说，电桥的相对的两个臂上的电阻增大，而另外两只相对的臂上的电阻减小，就反应在电桥电压输出的改变上。 各向异性磁阻传感器HMC1002 实验中采用HoneyWell公司的HMC1002 特性： *响应时间短（可以测高频交变磁场） *测量精度高 （达10^(-8)T) *有两个敏感轴，可确定平面内大小方向