低压下气流对激光沉积纳米硅晶化及尺寸的影响-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 2 (2013) 025204 低压下气流对激光沉积纳米硅晶化及尺寸的影响* † 王英龙 高建聪 褚立志 邓泽超 丁学成 梁伟华 傅广生 ( 河北大学物理科学与技术学院, 保定 071002 ) ( 2012 年7 月11 日收到; 2012 年8 月27 日收到修改稿) 纳米硅具有明显的光致发光效应和量子尺寸效应, 广泛的应用在现代电子工业和太阳能光伏工业中. 尺寸影响 着纳米硅的实际用途, 因此制备尺寸可控的纳米硅晶粒具有很重要的实际意义. 本文采用脉冲激光沉积(PLD) 技术, 在烧蚀点水平方向、距靶2 cm 处引入一束流量为5 sccm 的氩(Ar) 气流, 在0.01—0.5 Pa 的Ar 气压下烧蚀高阻抗 单晶硅(Si) 靶. 在管口正下方 1 cm 处水平放置衬底来沉积纳米Si 薄膜; 并用同一装置, 在0.08 Pa 的Ar 气压下分 别引入流量为0, 2.5, 5, 7.5, 10 sccm 的Ar 气流沉积纳米Si 薄膜. 利用原子力显微镜(AFM)、X 射线衍射(XRD)、 Raman 散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征. 结果表明: 不引入气流时出现纳米Si 晶粒的阈值气压是0.1 Pa, 引入气流后出现纳米Si 晶粒的阈值气压为0.05 Pa. 晶粒尺寸随着气流流量的增大而减小. 关键词: 脉冲激光烧蚀, 纳米Si 颗粒, 尺寸, 气流 PACS: 52.38.Mf, 61.46.Hk DOI: 10.7498/aps.62.025204 完成, 而在真空或较低压强下无法直接制备得到纳 13 1 引言 米晶粒 . Wang 等在10 Pa 的Ar 气下不同位置引 14 入一束30 sccm 的Ar 气流 , 得出了气流对纳米 1 Si 晶粒的尺寸有影响, 但由于环境气压较高无法分 纳米Si 晶粒由于具有量子尺寸效应 、光致 2 辨气流和环境气体对纳米Si 晶粒尺寸的影响. 本文 发光特性和电导输运特性 , 在大规模光电集成领 3 将在不同气压下引入一束5 sccm 的Ar 气流, 并在 域具有广阔的应用前景 , 制备技术也随着科技的 4 56 0.08 Pa 下引入不同流量的Ar 气流沉积纳米Si 薄 发展日趋成熟 . 在众多制备方法中 , 脉冲激 光烧蚀(PLD) 技术因具有玷污小和生长速率快等 膜, 与不引入气流做对比, 研究环境气压与气流流 78 量对纳米Si 成核与生长的影响. 优点, 引起了人们的广泛关注 . 采用PLD 法制 备薄膜的过程中, 诸多工艺参数都会影响薄膜生长 的质量. 譬如, 环境气体种类和环境气压会影响薄 2 实验方法 9 膜的结晶质量和纳米颗粒的大小 . 2000 年, Wu 等在氦气环境中加入一束Ar 气流, 在不同位置沉 脉冲激光烧蚀装置如图 1 所示, 由激光光源 积制备了尺寸不一的纳米Si 颗粒, 得出纳米Si 颗 和真空系统等构成. 激光