量子级联激光器原理和研究进展.docVIP

量子级联激光器原理和研究进展 　　【摘 要】量子级联激光器在中远红外激光器领域有重要的应用，本文总结与探讨了量子级联激光器的基本原理及特点，发展历程中的各种问题的解决及研究进展，最后又简单总结了太赫兹量子级联激光器的发展情况。尽管Q CL已经有了长足的进步，但距离室温应用和产业化还有一定距离。 　　【关键词】量子级联激光器； Q CL； 太赫兹 　　1 概述 　　量子级联激光器（QCL）是一种基于子带间电子跃迁的中红外波段新型单极半导体器件，其工作原理是基于电子在半导体量子阱中导带子带间跃迁和声子辅助共振隧穿，与通常的半导体激光器截然不同。 　　不同於传统p- n结型半导体激光器的电子-空穴复合受激辐射机制，QCL受激辐射过程只有电子参与，激射波长的选择可通过有源区的势阱和势垒的能带裁剪实现。量子级联激光器开创了中、远红外半导体激光器的先河。因此，它在红外通信、远距离探测、大气污染监控、工业烟尘分析、化学过程监测、分子光谱研究、无损伤医学诊断等方面具有很大的应用前景。 　　2 基本原理及特点 　　与常规半导体激光器相比，其量子级联激光器特点是多方面的。主要包括： 　　（1）电子利用效率高。同一个电子可以重复利用，顺序产生光子，理论上一个电子可以产生与级数相同的光子数，内量子效率会很高。 　　（2）中远红外波段且波长可调。决定QCL激射波长的子带间距可通过半导体“能带工程”进行调节。如改变量子阱或垒的厚度，材料的组分，外加偏压等；理论计算可以通过自洽求解薛定谬方程和泊松方程，蒙特卡洛法等方法设计和优化；而实际器件的性能除了和这些设计参数密切相关外，还和实际生长的材料的质量、界面的陡峭程度，生长速率、掺杂等控制效果等密切相关。 　　由于不需要考虑空穴的情况，而且激射波长可以随材料结构的设计而随意可调，甚至通过人为的设计理论上量子级联激光器的波长可以覆盖中远红外的全部波长。大大避免了常规的半导体激光器导带价带间电子-空穴复合时激射波长主要受材料禁带宽度限制的很大的局限性。 　　（3）增益谱窄。 由于载流子跃迁的始态和终态具有相同曲率，所以增益谱窄。 　　（4）量子级联激光器的阈值电流和光谱线宽对温度改变不敏感。这也是由 　　于QCL 子带间跃迁的基本特性所决定的。常规半导体激光器中参与跃迁的电子 　　和空穴分布在一定的能量范围内，且分布是对温度敏感的，在长波长，增强的俄 　　歇效应限制了常规半导体激光器的高温运行。而QCL几近平行的子带不易产生俄歇效应，所以在理论上对温度不敏感。 　　3 发展历程中的各种问题的解决及研究进展 　　早在1971年，前苏联Ioffe物理研究所的Kazarinov和Suris[1]共同提出了利用偏压下电子通过一系列量子阱的光子辅助量子隧穿实现光增益的创新思想，为产生中远红外光的半导体激光器――量子级联激光器提供了理论雏形。 　　1994年J. Faist ，Federico Capasso和同事卓以和等人利用分子束外延技术的突破，在贝尔实验室率先发明世界上第一支量子级联激光器[2] 被视为半导体激光领域的一次革命。脉冲（20 ns，0.1%）条件下，10 K时的激射波长是 4.26 μm，光输出峰值功率 8.5 mW，阈值电流密度 11 kA/cm2，最高工作温度可达约90 K。 　　典型的量子级联激光器主要有注入区、有源区和弛豫区。要使激光器工作必须至少满足一个条件，就是器件的增益一定要大于损耗. 要使器件产生增益，必须实现高能级对于低能级的粒子数反转，而要降低损耗，就要使用好的波导设计. 　　（1）有源区设计：粒子数反转 　　1994年的世界上第一支QCL[2]，其有源区是由与InP衬底晶格常数匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As 材料组成，有源区采用三阱耦合斜跃迁方式，这种跃迁方式限制了激光器的性能，导致其只能在低温下工作。 　　后来人们针对粒子数反转问题， 做了各种的改进，从最开始的啁啾超晶格结构[3，4]， 束缚态向连续态跃迁[5]， 到后来的共振声子结构[6]。 　　（2）波导设计 　　提高波导的限制因子和降低波导损失可以有效地降低器件的阈值增益，从而提高激光器的性能. 　　QCL波导结构设计主要有等离子波导、半绝缘表面等离子波导以及双面金属波导等。世界上第一支QCL采用的是双面金属波导[2]。 　　量子级联激光器波导结构设计典型的有Fabry- Pérot腔型、分布反馈（DFB）型，此外还有许多新颖的波导结构，如回音壁模式微腔结构、脊侧壁光栅波导、树形波导结构等。这些结构都有各自的特点和不同的应用前景，但新结构同时也对半导体微纳加工工艺提出了更为严格苛刻的要求。 　　基于以上两大方面的考虑，人们不断设计改进并