增强型、耗尽型MOS场效应管的原理.pdfVIP

增强型、耗尽型MOS 场效应管的工作原理及作用 场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。它的 输入电阻可高达1015W，且工艺简单，十分适用于大规模及超大规模集成电路，根据其 导电方式的不同，而分为增强型和耗尽型两种。 由于P沟道与N沟道的工作原理大致相同，仅在导电载流子与供电电压极性上有所区别， 因此本文主要以介绍N 沟道MOS 场效应管为主。 增强型场效应管 所谓增强型是指：当VGS=0 时管子是呈截止状态，加上正确的VGS 后，多数载流子被 吸引到栅极，从而 “增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 常用的增强型场效应管型号：10n60、4N60F （1）N 沟道增强型场效应管工作原理及作用介绍 根据图1，N 沟道增强型MOSFET 基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P 型半导 体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N 型区，从N 型区 引出电极 （漏极D、源极S）。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。 P 型半导体称为衬底，用符号B 表示。 图1 栅源电压VGS 的控制作用：当VGS=0 V 时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、 S 之间加上电压不会在D、S 间形成电流。 当栅极加有电压时，当VGSVGS(th)时( VGS(th) 称为开启电压)，由于此时的栅极电压已 经比较强，在靠近栅极下方的P 型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏 极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导 电沟道中的电子，因与P 型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。随着VGS 的继续增加，ID 将不断增加。在VGS=0V 时ID=0，只有当VGSVGS(th)后才会出现漏极 电流，这种MOS 场效应管管称为增强型MOS 场效应管管。 VGS 对漏极电流的控制关系可用iD=f(vGS)?VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线， 见图2。 图2 （2）P 沟道增强型MOS 场效应管原理及作用介绍 图3 如图3 是P 沟道增强型MOS 管的结构示意图，通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N 型 衬底 （基片）上制作出两个掺杂的P 区，分别引出电极 （源极S 和漏极D），同时在漏极与 源极之间的SO 绝缘层上制作金属，称为栅极G。 在正常工作时，P 沟道增强型MOS 管的衬底必须与源极相连，而漏心极对源极的电压Vds 应为负值，以保证两个P 区与衬底之间的PN 结均为反偏。 耗尽型MOS 场效应管 耗尽型是指，当VGS=0 时即形成沟道，加上正确的VGS 时，能使多数载流子流出沟道， 因而 “耗尽”了载流子，使管子转向截止。 常用耗尽型场效应管：AO3402、BSS229、BSP149 （1）N 沟道耗尽型MOS 场效应管原理及作用介绍 N 沟道耗尽型MOSFET 的结构和符号如图4 所示，当VGS=0 时，这些正离子已经感应出 反型层，形成了沟道。当VGS0 时，将使ID 进一步增加。VGS0 时，随着VGS 的减小 漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0 的VGS 称为夹断电压，用符号VGS(off)表示， 有时也用VP 表示。N 沟道耗尽型MOSFET 的转移特性曲线如图02.17(b)所示。 图4：(a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 N 沟道耗尽型MOSFET 的结构和转移特性曲线 (2)P 沟道耗尽型MOS 场效应管原理及作用介绍 P 沟道MOSFET 的工作原理与N 沟道MOSFET 完全相同，只不过导电的载流子不同，供 电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN 型和PNP 型一样。 文章信息 文章类型：关键词+软文 嵌入关键词 （*为搜索量）： N 沟道耗尽型MOS 场效应管工作原理及作用介绍——MOS 场效应管工作原理*90、MOS 场效应管工作原理*2、场效应管的工作原理*1、耗尽型MOS 场效应管*0、MOS 场效应 管的作用、MOS 型场效应管*0、 想法： 意图： 发布平台：华强北IC 代购网 专题：极管、整流器与晶体管