第五章功率放大电路-(精品课件).pptVIP

（2）当uI为负半周时 T1导通， T2截止 电容C同时充电 D1 RL T1 uI + _ + VCC T2 T3 D2 uO + _ RE RC C + A uC uB1信号为正半周 uB1 uB2 输出信号为正半周 T1截止， T2导通 电容C放电 uB2信号为负半周 uB1 uB2 （3）当uI为正半周时 D1 RL T1 uI + _ + VCC T2 T3 D2 uO + _ RE RC C + A uC 输出信号为负半周 注意： 电容C起负电源-VCC的作用 1. 每只管子的工作电压变成了VCC/2，在计算各项指标时电源电压要用VCC/2。 2. 电容C足够大，使输出正负半周对称。 D1 RL T1 uI + _ + VCC T2 T3 D2 uO + _ RE RC C + A uC RL T1 uI + VCC _ T2 VEE uO + _ 5.2.5 互补推挽放大电路 1. 电路组成 2. 电路主要特点 (2) 输出电阻小 (3) 动态范围大 (4) 带载能力强 (1) T1、T2参数相同 3. 工作原理 (1) uI=0时 T1、T2截止 uO=0 (2) uI0时 T1导通、T2截止 uO? uI RL T1 uI + VCC _ T2 VEE uO + _ (3) uI0时 T1截止、 T2导通 uO? uI 4. 输出动态范围 5. 电路存在的缺陷——交越失真 当输入电压小于发射结死区电压时，输出电压为零。 RL T1 uI + VCC _ T2 VEE uO + _ D1 RL T1 uI + VCC _ T2 D2 uO + _ R1 R2 VEE 克服交失真的方法： 给T1、T2的发射结加一定的直流偏置，使其工在微导通状态。 克服交失真的互补电路 1. 电路组成 5.2.4 前置级为运放的功率放大电路 A D1 RL T1 uI + _ + VCC _ iB1 iB2 T2 D2 uO + _ R3 R4 + _ R2 R1 i4 i3 VCC 2. 电路特点 (1) 电路引入了电压并联负反馈。 (2) 电路的稳定性高。 A D1 RL T1 uI + _ + VCC _ iB1 iB2 T2 D2 uO + _ R3 R4 + _ R2 R1 i4 i3 VCC 3. 电路的闭环电压增益 Auf≈－R2/R1 · A D1 RL T1 uI + _ + VCC _ iB1 iB2 T2 D2 uO + _ R3 R4 + _ R2 R1 i4 i3 VCC 思 考 题 1. 乙类互补推挽功率放大器产生交越失真的原因是什么？怎么克服交越失真？ 2. 为什么说前置级为运放的功率放大电路交越失真很小？ 5.3.1 双极型功率晶体管（BJT） 1. 功率管的选择 （1） PCM≥0.2Pom （2） |U(BR)CEO|2VCC （3） ICM＞VCC/RC 5.3 功率器件与散热 极限参数应满足(在互补推挽功率放大电路中) 2．二次击穿的影响 iC uCE 0 B A 二次击穿 一次击穿 S/B曲线 二次击穿现象 二次击穿临界曲线 iC uCE 0 1. V型NMOS管的结构 结构剖面图 5.3.2 功率MOSFET S 源极 G 栅极 金属 源极 S i O2 沟道 沟道 外延层 衬底 D 漏极 _ N + P P N N + N + 2. V型NMOS管的主要特点 （1）开关速度高 （2）驱动电流小 （3）过载能力强 （4）易于并联 5.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） IGBT等效电路 D T1 G S R T2 IGBT电路符号 G S D T 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点： （1）输入阻抗高 （2）工作速度快 （3）通态电阻低 （4）阻断电阻高 （5）承受电流大 兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。 上页 下页 退出 电子技术基础 5 功率放大电路 单级电压放大电路存在的问题， 多极放大电路的末级或末前级设置功率放大电路 原因：UO IO PO 能量不一定足够大 功率放大电路是一种以输出较大功率为目的的放大电路。它一般直接驱动负载，带负载能力强。 5.1 功率放大电路的一般问题（特点及分类） 说明：功率与电压放大电路的区别 （1）本质相同 放大电路中，输出到负载上的电量都同时存在输出电压、电流和功率，但在不同场合及不同要求下须强调的输出量不同。电压放大电路或电流放大电路主要用于增强电压幅度或电流幅度。功率放大电路主要输出较大的功率。但无论哪种放大电路，从能量控制的观点来看，放大电路实质上都是能量转换电路。因此，功率放大电路和电