快中子引起的径迹20ns内入射50000个粒子-IndicoIHEP.PPT

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快中子引起的径迹20ns内入射50000个粒子-IndicoIHEP

基于MOGD技术的快中子探测模拟研究;MPGD起源于对于带电粒子的径迹测量 高计数率、高位置分辨、耐辐射 其他领域的推广 对于中子的测量 穿透性强 核能源方面:核燃料增殖与嬗变、乏燃料处理 核安全方面:敏感核材料的无损检测;工作基础;利用MPGD测量中子诱发裂变;我们组新的测量方案;锕系核素的中子诱发裂变的激发曲线;裂变中子能谱;软件模拟过程;伴随快中子产生的 γ 射线能谱;关键的模拟参数;热中子引起的径迹 —— 粒子种类;快中子引起的径迹 —— 粒子种类;热中子引起的径迹 20ns内入射50000个粒子;热中子引起的径迹 在局部位置的单一径迹;快中子引起的径迹 20ns内入射50000个粒子;反冲质子的径迹重建 20ns内入射50000个粒子;未来的计划;谢谢大家,兰州见!

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