超宽带五位有源数控移相器设计-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

Design of a 5-Bit Active Phase Shifter for UWB Application A Dissertation Submitted to Xidian University in Candidacy for the Degree of Master in Microelectronics and Solid-State Electronics By Xinliang Zhu Xi’an, P. R. China January 2013 西安电子科技大学 学位论文独创性（或创新性）声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。 本人签名： 日期： 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究 生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保 留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内 容，可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，毕业后 结合学位论文研究课题再撰写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。 （保密的论文在解密后遵守此规定） 本学位论文属于保密，在 年解密后适用本授权书。 本人签名： 导师签名： 日 期： 日 期： 摘要I 摘要 I 超宽带五位有源数控 超宽带五位有源数控移相器设计 PAGE VI 摘要 随着无线通信系统和硅基集成电路技术的迅猛发展，硅基电路的成熟工艺、 低廉价格和高集成度为相控阵系统的单片集成和商业化提供了出路。作为相控阵 系统中的关键模块，硅基无源移相器由于其高损耗成为限制相控阵系统集成化的 瓶颈。基于此，本设计的五位有源数控移相器基于 SiGe BiCMOS 工艺，采用有源 结构，在满足低差损的前提下达到面积的小型化。 该移相器基于矢量调制方法，采用全差分结构，包括正交信号产生器、全差 分模拟加法器、差损补偿放大器、带隙基准、数模转换及逻辑控制电路。正交信 号产生电路采用全差分正交全通滤波器结构，具有增益波动小、工作频带宽和驱 动负载能力强等优点；模拟加法器由两个基于 Gilbert 单元的 VGA 构成，在数模 转换及逻辑控制电路的控制下，分别控制两路正交信号的幅度和极性以得到相应 的相位，并引入大电阻驱动的源极跟随器来代替平面螺旋电感从而减小芯片面积； 差损补偿放大器用来补偿正交信号产生电路和加法器引入的损耗；带隙基准则为 各个模块电路提供合理的偏置。 该移相器采用 JAZZ 0.18μm SiGe BiCMOS 工艺，仿真结果显示，6-18GHz 频 率 范 围 内 ， 角 度 均 方 误 差 3.26°， 增 益 均 方 误 差 0.52dB ， 输 入 1dB 压 缩 点 -18.269±0.61dBm@12GHz，输入反射系数 -11dB，输出反射系数 -15dB，达到了 五位移相器的精度要求。 关键字：移相器 矢量调制 超宽带 Abs Abstract III 超宽带五位有源数控 超宽带五位有源数控移相器设计 PAGE IV Abstract With the rapid development of wireless communication system and Si-substrate integrated circuits, the monolithic integration and commercialization of phased array system become possible for its mature technology, low cost and high level of integration. As a critical module in the phased array system, silicon-based passive phase shifter becomes a bottleneck for the integration of phased array system because of its severe loss caused by conductive substrate. To tackle this issue, an act