掺Cd纳米ZnO的制备及其性能研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

PAGE PAGE 4 PAGE PAGE 11 回去建筑科技大学硕士学位论文 选择定则的约束。另 一方面，纳米结构尺寸越小对激子的束缚越强，通过激子复 合的发光效率也将越南。这些都将导致纳米结构相对于其体材料而 言 ，发光效率 有极大的提高。 ZnO 纳米线可 以通过多种方法合成ll7·2l l ，热蒸发法是其主要生 K方法。蒸发 山的半导体材料原子或 !原 子 团 族在 一 定的金属催化剂作用下，按照 V LS(vapor-liquid-solid) 机制，经 过气相沉积自组织过程形成 一维纳米线 。目前，各 种方法都还难以实现晶体尺寸、形状、生长方向一致性等方面可控 生长 。国际上， 美国乔治亚大学王中林课题组在纳米带 、纳米坏和生长机理方面比较领先(22.23) 。 加州大学伯克力分校 CUi(24)等人采用纳米线为基本单元成功地制作了 P-N结、 晶体管、反向器等纳米线器件。加州大学伯克力分校P. Yang课题组在Science和 Nature .l二发表多篇ZnO纳米结构的文章 l2536l ，显示出其研究工作的独到之处。国内， 我国己有多家单位，如北京大学、清华大学、浙江大 学、中科院上海陶程所研究 所、中国科技大学、香港科技大学等单位，相继开展了 ZnO纳米结构的生长和物性 研究，研究工作备有其特点，并取得了一些成果 [27叫。 木课题组在ZnO纳米结构的制备中取得 一系列重要成果 ，如通过快速热蒸发法 同时合成了三种不同形貌的T-ZnO纳米结构(如图1.1-1.3所示).其 中两种形貌为首 次发现，并对其生长机理进行 了深入研究。 图1.1 只有层状结构的 T-ZnO 纳米纺构 国1.2 只旬四脚结构的 ZnO 纳米结构 西安建筑科技大学硕士学位论文 剧 1.3 只有金字I告状 f9i瑞的 ZnO 内脚纳米结构 1.3 掺杂纳米氧化辞国内外研究进展 为了实现ZnO在光电器件-领域的州用，必须攻克 p-型掺杂和能带调整这两个难 题。研究发现，采用掺杂的方法可以调整 ZnO的情隙宽度。掺杂是通过改变材料内 部 电子排列方式来控制半导体的能级 ，使得表面能级和势垒高度发生改变，从而 达到改善其物理化学性质的目的。对纳未材料而 言 ，杂1页对其性能的影响比块体 材料的性能影响更为显著。采用掺杂的方法对纳米 ZnO进行改性，可以更好的发挥 其形貌、能级和功能的综合性能。因此，如何实现纳米 ZnO的可控掺杂:在掺杂过 程中保持其结构的完整性以及掺杂对 ZnO的光学性质有何影响等都是当前 人们所 关注的焦点，到目前为止已经实现了多种元素及多种形貌下的掺杂。 按照所掺杂的元素在周期表中的位置 ，掺杂类型可分为主族元素掺杂和过渡 元素掺杂。 1.3.1 主族元素掺杂 Mg元素的掺杂 Lee等(30)用水热法在p-型硅衬底上制备了 Mgo.1ZnO.90纳米线，并用 PH3等离子 体对样品进 一步掺杂，XPS分析表明 ，其化学成分为 PooI2Mgo.IZnO.90，其不足之处 是Mg的掺杂量较少。 Zhi等(31)以Zn和Mg为原料，采用热蒸发法制备了掺杂 Mg的ZnO纳米线。EDX 能谱分析表明，产品可分为含 Zn较多的样品和含 Mg较多的产品两种类型。含 Zn较 多的样品成份为Zno 例Mgo.160: 含Mg较多的产品成份为 ZnO. 12MgO.8S0，使掺杂量得 到较大提高。室温光致发)C特性研究表明:与纯的 ZnO 纳米线相比， ZnO.84MgO.160 纳米线的紫外发光(波长 384.4 nm)强度较弱 ，而可见光的波峰 (波长为495.8nm)强度 和半高宽度都有所增加。样品 Zno.12Mgo.880的室温发光谱观察不到紫外发光。 Heo等(32J报道了在催化剂布 在的条件下，采用分子柬外延生长法在镀有 八g薄 膜的Si02衬底制备出 (Zn ，Mg)O纳米线 ，与相同条件下合成的纯的 ZnO纳米材料相 西安建筑科技大学硕士学位论文 西安建筑科技大学硕士学位论文 比. } 貌单一，且产品显示出很强的光致发光特性，由于Mg的掺入，样品的发光 峰蓝移。 ZnO的木征缺陷水平使得n-型掺杂能级大约是在其导带下方 0.05 eV 的优 贺。 ZnO的带隙通过掺杂Mg而增加，其原因是 Mg2+取代Zn2+造成的。室温下光致 发光峰的改变足由于带隙改变所致， Mg的掺杂量x和产品的能隙变化可用 下式表本 ‘、F.I-(EI((Zn川，ω = XEr，(MJ..()) + (1-X) ‘、F .I - ( 式中 Eιμx{α加z?I况山xοω创耐}、 EιK川川{仙M阳g()Pο 能隙，x 表示掺杂Mg的浓度。其正确性已在 ZnO的薄膜掺杂得到验证，而在一维 结构掺杂的正