掺杂Bi,4Ti,3O,12铁电薄膜的制备及性能研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

摘要 摘 要 摘 要 近年来，稀土元素 Nd 掺杂的钛酸铋(Bi4Ti3O12，简记为 BTO)铁电薄膜因其具有较 大的剩余极化强度(2Pr)、极好的抗疲劳特性、较低的结晶温度而成为目前最有可能替 代传统含铅 Pb(Zr,Ti)O3 的薄膜材料，用来制备高密度非 挥发性铁电随机存储器 (NvFRAM)。然而对于这种铁电薄膜的制备工艺和掺杂的微观机理仍缺乏系统研究。 本论文着重于借助拉曼散射光谱来研究铋层状钙钛矿结构铁电薄膜 Bi4Ti3O12 的掺杂改 性问题。通过研究掺杂对薄膜晶体微结构、铁电和漏电性能，初步探讨 B 位掺杂对铋 层状钙钛矿结构铁电薄膜性能的影响机理及薄膜结晶温度的影响。 本文首先采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在 Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上制备了不同 Nd 掺 杂含量的 Bi4-xNdxTi3O12(x 表示 Nd 掺杂含量)薄膜。将(Bi,Nd)4Ti3O12 薄膜在空气中在不 同温度下退火，借助 X 射线衍射仪、拉曼散射光谱仪和铁电测试仪对相应的薄膜样品 进行微结构分析和铁电性能测试。通过分析 Nd 掺杂含量和退火温度对 BTO 薄膜微结 构和铁电性能的影响，结果表明：掺杂含量 x≤0.45 时，Nd3+仅取代了 BTO 薄膜中 A 位 Bi3+离子，不影响(Bi2O2)2+层的结构，可明显改善 BTO 薄膜的铁电性能(2Pr 达最大 值 32.7 μC/ cm2 )。少量 Nd 掺杂使 BTO 薄膜结晶过程中出现焦碌石杂相，结晶完全温 度为 7000C 左右，低于 BTO 薄膜。 然后用同样的制膜方法分别采用 V 和 Mn 分别对 Bi3.55Nd0.45Ti3O12(简记为 BNT) 薄膜进行了 B 位掺杂。分别在空气，氧气和氮气氛围中退火的 V 掺杂 BNT 薄膜表面 都比较光滑、致密，且呈(00l)和(117)混合取向生长。但氮气中退火的薄膜剩余极化值 最大。不同温度下退火的 V 掺杂 BNT 薄膜的拉曼散射谱表明：在退火温度较低时也 出现少量焦碌石杂相，退火温度升高，杂相消失。但 V 掺杂使 BNT 薄膜的结晶温度 降低，薄膜在 6800C 退火时已铋层状结构已基本形成。薄膜在 6500C 下退火就表现出 较好的铁电性能，在 7000C 温度下退火铁电性能最好。不同 Mn 掺杂含量的 BNT 薄膜 样品拉曼散射研究表明，Mn4+掺杂取代了 BNT 中 B 位的 Ti4+，而不是取代 A 位的 Bi4+。 掺杂使得样品的漏电流减小，薄膜的电滞回线的矩形度提高。Mn 掺杂量 x=0.01 时， 薄膜的铁电性能最好，剩余极化值(2Pr)和矫顽电压(Vc)分别为 27 μC/ cm2 ，5.3V。但 Mn 掺杂 BNT 薄膜的原位拉曼光谱结果显示：Mn 掺杂抑制了薄膜中焦碌石杂相的形 成，同时也不利于薄膜中类钙钛矿层和(Bi2O2)2+层的结晶，导致薄膜的结晶温度升高。 具有最好铁电性能薄膜的结晶温度为 7200C 左右。 关键词：Bi4Ti3O12；拉曼频移；V 掺杂；Mn 掺杂；铁电性能；结晶温度 I Ab Abstract II II ABSTRACT Recently, rare-earth neodymium (Nd) doped Bi4Ti3O12 (BTO) ferroelectric thin films have become the most potential materials replacing the conventional Pb(Zr,Ti)O3 thin films for application in non-volatile ferroelectric random access memories (NvFRAM), due to its larger remnant polarization(2Pr), excellent fatigue endurance, relatively low crystallization temperature. However the detailed studies on the mechanism of the improved properties by doping and the dopant influence on crystallization temperature are still lacking. In the thesis, the structure, ferroelectric and leakage current properties of doping BTO thin films, which belong to the family of layer-structure