材料科学概论课件第2节晶体缺陷.ppt

位错 2.3.3 位错的运动 位错的运动方式有两种最基本形式: 2.3.5 位错的生成和增殖 1. 位错的密度 表达式：ρ= l/v 或 ρ= n/A 单位:1/㎡ 2. 位错的生成 晶体中位错来源： (1)晶体生长过程中产生。 (2)晶体中过饱和空位的聚集。 (3)应力集中，产生局部区域滑移产生位错 3. 位错的增殖： 4.位错的塞积 晶体塑性变形时往往发生这样的情况，即在一个滑移面上有许多位错被迫堆积在某种障碍物前，形成位错群的塞积。这些位错来自于同一位错源，所以具有相同的柏氏矢量。从理论上分析位错塞积群的分布，发现塞积群在垂直于位错线方向的长度，对于刃型位错为Nμ b/π τ (1-υ ),对于螺型位错为Nμ b/π τ ，其中N为塞积群的位错总数，τ 为外加切应力（实际上应为减掉晶格阻力之后的有效切应力）。可见塞积群的长度正比于N，反比于τ。 位错塞积群的一个重要效应是在它的前端引起应力集中。当有n个位错被外加切应力τ推向障碍物时，在塞积群的前端将产生n倍于外力的应力集中。 2.4 材料中面缺陷 严格来说，界面包括外表面（自由表面）和内界面。表面是指固体材料与气体或液体的分界面，它与摩擦、磨损、氧化、腐蚀、偏析、催化、吸附现象，以及光学、微电子学等均密切相关；而内界面可分为晶粒边界和晶内的亚晶界、孪晶界、层错及