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(1)额定输入电压指一定条件下能承受的稳态阻性负载的最大允许电压有效值。如果受控负载是非稳态或非阻性的,需考虑所选产品是否能承受工作状态或条件变化时所产生的最大合成电压。例如负载为感性时,所选额定输出电压必须大于两倍电源电压值,而且所选产品的阻断(击穿)电压应高于负载电源电压峰值的两倍 (2)额定输出电流和浪涌电流额定输出电流是指在给定条件下所能承受的电流最大的有效值。一般生产厂家都提供热降额曲线。如周围温度上升,应按曲线作降额使用。浪涌电流指在给定条件下不会造成永久性损坏所允许的最大非重复性峰值电流。交流继电器的浪涌电流为额定电流的5-10倍,直流产品为额定电流的1.5-5倍。选用时,如负载为稳态阻性,固态继电器可全额或降额10%使用。 对于电加热器、接触器等,初始接通瞬间出现的浪涌电流可达3倍的稳态电流,可降额20%-30%使用。白炽灯类负载,应按降额50%使用,且加上适当保护电路。对变压器负载,所选产品的额定电流必须高于负载工作电流的两倍。对于负载为感应电机,所选固态继电器的额定电流值应为电机运转电流的2—4倍,其浪涌电流值应为额定电流的10倍。固态继电器对温度的敏感性很强,工作温度超过标称值后,必须降热或外加散热器。 6 半导体分离器件 半导体分离器件包括二极管、三极管、场效应管等器件。这里重点介绍它们的分类方法、型号命名、测试方法及使用注意事项。6.1常用半导体分离器件的分类 一.半导体二极管二极管是利用半导体PN结的单向导电性制成的器件。在电路中主要用作整流、检波、稳压等。二极管的规格品种很多,按所用半导体材料的不同,可分为锗二极管、硅二极管和砷化镓二极管;按结构工艺不同,可分为点接触型和面接触型二极管;按工作原理分有隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管等;按用途分有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管等。二极管的参数主要有最大整流电流、正向导通压降、反向击穿电压、结电容、最高工作频率等。 二.半导体三极管半导体三极管由两个PN结构成,有PNP和NPN型两种结构。三极管的规格品种繁多,按照工作频率、开关速度、噪声电平、功率容量及其它性能可分为高频大功率管、高频低噪声管、低频大功率管、低频小功率管、高速开关管、功率开关管等;根据制造工艺的不同可分为合金晶体管、扩散晶体管、台面晶体管、平面晶体管等;按照制造材料分,有锗管和硅管。常用三极管的封装形式如图1.10所示 三.场效应晶体管场效应管是利用外加电场使半导体中形成一个导电沟道并控制其大小(绝缘删型),或改变原来导电沟道大小(结型)来控制电导率的原理制成的。场效应管的栅极输入电阻很高,一般可达上百兆甚至几千兆,因此,栅极上加电压时基本上不分取电流,另外,场效应管还有噪声低、动态范围大等优点。场效应管可以分为结型和绝缘删型两种 图1.10常见三极管外形 6.2 半导体器件的命名方法一.我国半导体器件的命名方法根据中华人民共和国国家标准——半导体器件命名方法(GB249-74),器件型号由五部分组成,各部分的意义如表1.6所示。但场效应管、特殊半导体器件、PIN管、复合管和激光器件只用后三部分表示。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器件的电极数目 用汉语拼音字母表示器件材料和极性 用汉语拼音字母表示器件的类别 用数字表示器件序号 用汉语拼音字母表示规格号 符 号 意 义 符 号 意义 符号 意义 2 二 极 管 A B C D N型锗材料 P型锗材料 N型硅材料 P型硅材料 P V W C Z L S N U K 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 第一部分 第二部分 第三部分 第四 部分 第五 部分 3 三 极 管 A B C D E PNP型锗材料 NPN型锗材料 PNP型硅材料 NPN型硅材料 化合物材料 X G D A U K 低频小功率管(fa3MHZ,Pc1w) 高频小功率管(fa3MHZ,Pc1w)低频大功率管(fa3MH, Pc≥1w) 高频大功率管(fa≥3MH, Pc≥1w) 光电器件 开关管 I Y B J 可控整流器 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 C S B T F H P I N J G 场效应器件 半导体特殊器件 符合管 PIN型管 激光器件 示例:(1)锗材料PNP型低频大功率三极管 3 A D 50 C 规格号 序号 低频大功率管 PNP型锗材料 三极管 示例:(2)硅材料NPN型高频小功率三极管 3 D G 201 B 规格号 序号 高频小功率管 NPN型、硅材料 三极管
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