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高速放大器制程新技术满足新一代低功耗的应用需求 　　新一代无线应用、自动化测试与测量、医疗仪器及图像处理、便携式运算装置等都需要高效能模拟组件，并且对其低功耗的效能要求日益提高。现今厂商运用进阶工艺技术来满足此一要求，例如第三代完全介电隔离式互补双极工艺 BiCom-III。 　　多年来，高效能模拟设计都需采用分支供电电压 (split power supply voltage)，才能完全发挥既有放大器的全部效能，例如 ±15V、±8V 和最近的 ±5V。如今的高效能模拟趋向使用 +5V、+3V 与更低电压的单电源，这不仅能够降低产生的电压，让电源成本随之减少，而且更可节省低功耗应用的能源。然而，如果信号的可用电压摆幅也必须减少，则模拟设计中极为重要的可用动态范围势必同样受到影响。 　　动态范围的两项重要数据是信噪比 (SNR) 与无噪声动态范围 (SFDR)。SNR 是信号等级除以噪声：而 SFDR 是信号等级除以最大混附信号：。 　　噪声可分为许多种类，在放大器中，噪声主要包含闪烁噪声 (通常称为 1/f 噪声，因为与频率呈 1:1 的反对数相依性)、热噪声及射噪声。在放大器中，其非线性会造成谐波失真或互调，进而产生混附信号。 　　在运算放大器中，电源电压的降低一般会导致信号等级降低，这是因为可用来操作放大器内部晶体管的电压降低。当噪声与失真维持不变时，SNR 与 SFDR 也会相应降低。为了重新恢复动态范围，制造运算放大器时采用的工艺与架构必须具备绝佳的噪声与失真效能，而且晶体管正常运作时所需的固定电源必须减少，这的确需要工艺技术与进阶电路架构方面的重大突破， BiCom-III 正是这类工艺技术创新的一例。 　　 　　BiCom-III 工艺概览 　　 　　BiCom-III 是专为超高精度模拟 IC 开发的硅锗 (SiGe) 工艺。这是在基极区添加锗的介电隔离式硅基工艺 (dielectrically isolated silicon-based process)，在基极区添加锗可大幅提升载波机动性，并达到极快速的瞬时时间。此工艺可生产出真正互补的双极 NPN 与 PNP 晶体管，其中的瞬时频率 (fT) 为18ＧＨｚ～19GHz，而最大频率 (fMAX) 为 40GHz～60GHz。互补晶体管可实现AB类放大器等级，这对高速、高效能的模拟电路设计来说极度重要。 　　BiCom-III 工艺是针对温度范围广达3V～5V的晶体管运作而设计，可达到 18ＧＨｚ ～ 19 GHz 范围的 fT 值，并达到 40ＧＨｚ～50GHz 范围的 fMAX 值。与同类型互补技术的效能相比，其fT值反映出几近三倍的提升程度。介电隔离式晶体管可将集极到基板的寄生现象减至最低，这些寄生参数会影响晶体管的高频率效能。 　　这项技术还能为高速运算放大器带来许多优点，其中包括：电压系数极低的 MIM (metal-insulator-metal) 电容、绝佳的电阻匹配 (0.1%)、可降低寄生电容的介电隔离 (DI) (或称为绝缘体层上覆硅，SOI)，以及极高的晶体管电流增益与尔利电压 (early voltage) 相乘乘积 (βｘVA)，进而达到更高的放大器增益。 　　此外，此工艺也包括 CMOS FET，可使高度复杂的数字功能整合在芯片上，以达到绝佳的模拟效能。 　　 　　NPN 与 PNP 双极晶体管 　　 　　此技术的主要组件为双极晶体管。对于采用互补设计的高效能模拟应用而言，能有效地协助 NPN 与 PNP 的 fT 效能，使其相互配合 (在 2 倍以内)。除了高 fT 之外，高速线性运算放大器以及其他信号调节电路也需要高晶体管增益，其中的主要特点便是 βｘVA 的乘积。增加 VA 会造成 fT 下降，因为这需要提高基极的掺杂程度，因而导致行动性降低，并增加射极电容。添加锗可以增强基场以抵消此效应，在提高 VA 的同时甚至也提高 fT。 　　经过提升的基极阻抗 (rb)、瞬时频率 (fT) 以及寄生接面电容 (cjc 与 cjs) 参数可提高固有寄生极点的频率，以达到更高的带宽运作。互补 SiGe 双极晶体管可实现功耗极低的对称架构，进而将失真程度降低。此外，晶体管较小的基极阻抗可使等效的输入噪声电压降到更低。 　　CMOS 晶体管 　　 　　除了双极组件外，5V CMOS 也整合到此工艺流程中，以支持需要高 SNR 效能的产品，例如高速模拟数字转换器 (ADC)。表2. 列出 BiCom-III CMOS 晶体管特性。 　　MIM 电容 　　 　　工艺开发的关键在于整合稳定而高效能的被动组件。MIM 电容是由 TiN-Ox-TiSi2 层所组成，这些电容的线性电压系数为 -6 ppm