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国际半导体技术发展路线图_000006 　　 4.14 成品率的提高 　　 困难和挑战 　　 2009年“成品率的提高”国际技术工作组调研了最新的研发和困难,整理出了与成品率相关的关键的挑战。在2009年,整理出了新的远期挑战,即:450 mm晶圆的引入带来的对缺陷探测和特征分析的影响,以及由于较大的衬底表面积带来的缺陷预算和成品率模型问题。450 mm晶圆的引入需要新一代的检测工具。拥有成本受到吞吐率和设备成本的影响。很难在450 mm晶圆代仍然保持检测设备的吞吐率水平。因此,设备的成本非常重要。检测时,如何处理450 mm晶圆具有风险:首先,大的圆片具有挠性,其次,用于缺陷检查的坐标精度也有困难。由于表面很大,因此需要获得大量的检测数据量。改善数据质量并减少数据量是非常重要的。缺陷预算和成品率模型受到大的衬底上未知缺陷密度的影响。 　　 在2009年的ITRS中,近期的关键挑战的次序和类型都没有变。当前,最重要的关键挑战是对多种致命缺陷和信噪比的探测。以高捕获率和低拥有成本以及高吞吐率来同时探测和区分多种致命缺陷,是很困难的。此外,在大量的噪扰和伪缺陷间找到与成品率相关的缺陷,是一件令人生畏的工作。其次,需要搞清楚与3D检测相关的需求。这使得检测工具需要具有检测高深宽比结构的能力,同时还要能够探测非目视缺陷,诸如空洞、内部缺陷和亚表面缺陷等。仍然有大量的对高速和经济有效的检测工具的需求。随着3D缺陷类型的重要性的增加,对高速和经济有效的3D检测工具的需求变得越来越重要。电子束检测看起来不再能够成为所有这些任务的解决方案。 　　 其它的成品率提高方面的近期挑战,根据重要性的不同依次列写如下: 　　 ●工艺稳定性和绝对污染水平之间的关系,包括与成品率之间的关系:需要数据、测试结构和方法,以便在工艺液体污染类型和水平与成品率之间建立关系,并决定所需的对气体、化学品、空气、先驱体、超纯水和衬底表面清洁度的控制限制。 　　 ●晶圆边缘和斜面控制和检测:晶圆边缘和斜面的缺陷和工艺问题可以导致成品率损失。当前,需要大力开发监控和污染控制方法。 　　 在远期,有以下的关键挑战: 　　 ●非目视缺陷和工艺离散:不断增加的由于非目视缺陷和工艺离散造成的成品率损失需要在方法学、诊断和控制方面,有新办法。这需要在系统成品率损失和版图特性之间建立起联系。逻辑电路区域中,特征的不规则性使得它们对系统成品率损失机制非常敏感,例如在光刻工艺窗内的图形工艺离散性。 　　 ●在线缺陷特征分析:基于对更小缺陷尺寸和特征分析的需求,需要有光学系统和能散X射线光谱系统的替代方法来进行更小尺寸缺陷和特征的高吞吐率在线特征分析。待分析的数据量正在大幅度增加,因此,需要有进行数据解释的新方法以保证质量。 　　 ●开发基于模型的设计-制造接口:由于光学邻近校正(OPC)和集成的高度复杂性,模型必须要考虑更大的参数敏感度、超薄膜的完整性、电路设计的影响和封入的更大数量的晶体管等。 　　 ●450 mm晶圆的引入(见上文)。 　　 “成品率的提高”一章包含三节:缺陷预算和成品率模型、缺陷探测和特征分析、晶圆环境和污染控制。在2009年,主要的工作是更新技术需求表。主要的改变总结如下: 　　- 缺陷预算和成品率模型: 　　?缺陷预算表进行了更新。ITWG需要有解决方案来对每次晶圆处理中的颗粒数或颗粒控制极限数据进行更新,以便给设备供应商和未来的集成器件制造商提供每道晶圆处理时可允许的缺陷和颗粒数数据。 　　 - 缺陷探测和特征分析: 　　 ●根据缺陷检测和探测方面的最新进展,对表YE6、7、8进行了仔细的检查和更新。 　　 　　 4.15 计量 　　 计量需求继续受到先进光刻工艺、新材料和超越CMOS的材料、结构和器件的推动。二次图形生成和二次曝光的光刻技术的引入增加了复杂度,因为需要在相同的测量区域内测量线宽、边墙角度和线宽粗糙度的两次分布。另一个关键尺寸测量的重要挑战是工具的匹配。未来几年的精度需求可以通过单一工具来满足。但是EUV光刻计量方面还存在着很多差距,特别是对掩模版的计量。掩模版的制造工艺需要有更大的提高,特别是对光化学图形的掩模版检测和空气中成像而言,更是如此。套刻计量能力落后于对改善套刻控制的需求。前端工艺继续推动计量技术来提供对新的更高介电常数材料、双功函数金属栅、新的超浅结掺杂工艺的测量。亚1 nm EOT栅层叠需要在制造中大幅度改善膜厚和成分的控制。互连结构继续使用新的材料。对低κ材料的多孔性控制的需求推动了对多孔性测量的新的兴趣。3D互连计量需求主要受到硅贯穿通孔(TSV)研发活动的推动。下一代TSV的键合晶圆套刻控制现在已经有了可能的解决方案,正在调研之中。在超越CMOS器件的计量领域中,石墨烯(graphe