计算机组成与结构PPT课件（全）第4章主存储器教学幻灯片.pptVIP

16K=214 地址码为14位,为了减少封装引脚数,地址码分两批(每批7位)送至存储器.先送行地址,后送列地址。 16K位存储单元矩阵由两个64?128阵列组成.读出信号保留在读出放大器中。 读出时,读出放大器又使相应的存储单元的存储信息自动恢复(重写),所以读出放大器还用作再生放大器。 16K?1动态存储器框图说明 16K?1动态存储器框图说明 再生: 通过电容的充电来保存信息,但漏电阻的存在,其电荷会逐渐漏掉,从而使存储的信息丢失.因此,必须在电荷漏掉以前就进行充电,这充电过程称为再生,或称为刷新。 读出过程就能使信息得以恢复,由于每列都有读出放大器,因此只要依次改变行地址,轮流对存储矩阵的每一行的所有单元同时进行读出,当把所有行全部读出一遍,就完成了再生。 3、DRAM 与 SRAM的比较 三、 非易失性半导体存储器 停电时信息不丢失的存储器称为非易失性存储器。 可分为ROM、 PROM、EPROM、 E2 PROM 和 flash memory。 1、ROM 芯片的内容在制造时已经输入，只能读，不能修改。 存储原理：是根据元件的有无来表示该存储单元的信息（1或0）。 存储元件：二极管或晶