胡伟-光电功能材料 l7 外场作用下晶体的光学性质知识课件.pptxVIP

光电功能材料第七讲：外场作用下晶体的光学性质胡伟、陆延青南京大学现代工程与应用科学学院1.1 电光效应的基本概念 各向同性的、均匀的、线性的、稳定光学介质，在不受任何外电场作用时，其光学性质是稳定的。 现对该介质施加一个外电场，当加到介质上的外电场足够强、以致于强到足以和原子的内电场（≈ 3×108 V/cm）相比拟时，原子的内电场就会受到强烈的影响，原子的形状和能级结构等就会发生一系列畸变；与之相应，介质的光学性质也会发生改变——即介质的折射率会发生改变，折射率的改变量与外加电场密切相关，并且是外电场的显函数。 就这样，原本属于各向同性的、均匀的、线性的、稳定光学介质，在足够强的外电场作用下，因其光学性质发生改变而成为各向异性光学介质，产生光的双折射现象。 对于各向异性的光学晶体，在足够强的外电场作用下，其光学各向异性性质会进一步加剧。 介质在足够强的外电场作用下，其光学性质发生改变（即折射率发生变化）的这一现象，叫做电致感应双折射，或者称为电光效应。1.2 电光效应的种类 按照介质折射率改变量与外加电场之间的函数关系的不同，可将电光效应划分为以下两个大的类型： 1.线性电光效应 介质折射率改变量与外加电场的一次方成正比。 2.非线性电光效应 介质折射率改变量不仅与外加电场的一次方有关，而且还与外加电场的二次方、三次方、乃至任意的高次方有关，并且是它们的显函数。非线性电光效应又分为两种：（1）二次电光效应介质折射率改变量与外加电场的二次方成正比。（2）任意高次电光效应 介质折射率改变量与外加电场的任意高次方成正比。本章重点学习线性电光效应和二次电光效应。John kerr(1824-1907)二次电光效应Friedrich Carl Alwin Pockels(1865 – 1913)线性电光效应1.3 电光效应的理论描述 光在晶体中的传播规律遵从光的电磁理论，利用折射率椭球可以完整而方便地描述出表征晶体光学特性的折射率在空间各个方向的取值分布。 外加电场对晶体光学特性的影响，必然会通过折射率椭球的变化反映出来。 因此，可以通过晶体折射率椭球的大小、形状和取向的变化，来研究外电场对晶体光学特性的影响。由空间解析几何理论，描述晶体光学各向异性的折射率椭球在直角坐标系(O-x1x2x3)中的一般形式为：若令：则折射率椭球的表示式为：如果将没有外加电场的晶体折射率椭球记为：则外加电场后，晶体的感应折射率椭球可记为： 则折射率椭球的变化可方便地用系数的变化ΔBij描述： 在这里，仅考虑ΔBij 是由外加电场引起的，它应与外加电场有关系。一般情况下，ΔBij可以表示成 ： 上式中，等号右边第一项描述了Δβij与Ek的线性关系， ［γijk］是三阶张量，称为线性电光系数，由这一项所描述的电光效应叫做线性电光效应，或普克尔(Pockels)效应；等号右边第二项描述了ΔBij与外加电场的二次关系，［hijpq］是四阶张量，称为二次非线性电光系数，由这一项所描述的电光效应叫作二次电光效应，或克尔(Kerr)效应。Δβij=γijkEk+hijpqEpEq+… i, j, k, p, q=1,2, 3 电介质材料32线性电光材料20热释电材料10铁电材料利用铁电畴调制的的介电体超晶格一次电光效应只存在于不具有对称中心的20类点群中（432点群不具有对称中心，但因对称性较高，仍无一次电光效应）故压电晶体一定具有一次电光效应，而二次电光效应则存在于一切透明介质中。 2 晶体的电光效应及应用2.1 晶体的线性电光效应2.2 晶体的二次电光效应2.3 晶体电光效应的应用Δβij=γijkEk+hijpqEpEq+… i, j, k, p, q=1,2, 3 2.1 晶体的线性电光效应1. 线性电光系数 如上所述，在主轴坐标系中，无外加电场晶体的折射率椭球为： 外加电场后，由于线性电光效应，折射率椭球发生了变化，它应表示为一般折射率椭球的形式：折射率椭球的系数［Bij］实际上是晶体的相对介电常数［εij］的逆张量，故［Bij］也是二阶对称张量，有Bij=Bji。因而［Bij］只有六个独立分量，故上式可简化为：外加电场后，晶体折射率椭球系数［Bij］的变化为：考虑到［Bij］是二阶对称张量，将下标i和j交换其值不变， 所以可将它的二重下标简化成单个下标，其对应关系为：相应的［ΔBij］也可简化为有六个分量的矩阵： 对于线性电光系数［γijk］，因其前面两个下标i, j互换时，对［ΔBij］没有影响，所以也可简化为单个下标。经过这些简化后，只计线性电光效应，可得： ΔBi=γijEj i = 1, 2, …, 6; j = 1, 2, 3 相应的矩阵形式为:式中的(6×3)γ矩阵就是线性电光系数矩阵，它描述了外加电场对晶体光学特性的线性效应。2.几