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强势插入 英特尔至强D处理器分析 　　随着移动互联以及云服务的高速发展，对通信运营商和云服务提供商的数据中心提出了更高的要求。一直以来，寻求更低能耗成本和更高效的处理性能成为行业用户的新需求，所以近期英特尔发布了全新的至强D系列产品。该系列特别针对网络设备和运营商而设计，实际性能介于至强E5和凌动C2000系列之间，但它的独特之处在于，这是首款基于至强的SoC芯片，而且采用14nm制程生产，在具备出色低功耗特性的同时，拥有较为不错的性能表现。 　　至强D系列处理器问世 　　此次英特尔率先推出的至强D处理器包括两款产品――D-1540和D-1520，其中D-1540拥有8核心16线程，主频2.0GHz。D-1520拥有4核8线程，主频2.2GHz。两者的TDP功耗均为45W，并且最大睿频均为2.6GHz。 　　英特尔的处理器发展一直遵循“Tick-Tock”周期，Tick代表全新制程更新，Tock代表微架构更新。英特尔在2013年推出代号“Haswell”全新架构CPU，但仍然基于22nm制程；在2014年将制程继续推进到14nm，也就是代号“Broadwell”的产品。“Broadwell”最早见于去年9月份推出的Core M系列处理器，在今年的CES上则大放光彩，英特尔共推出了17款Broadwell-U处理器。按照其以往的产品发布进度来看，服务器端的产品基本上会晚于桌面端一代，但3月份就推出的至强D处理器可算是打破了这一规律。这是英特尔首个14nm级的服务器核心，不但几乎同步采用了先进的制造工艺，让其TDP功耗仅在20W～45W之间，而且还是首款基于至强的SoC产品。对于同时追求低功耗和性能的运营商和网络服务商而言，在动态Web服务、专用托管和Web高速缓存为主的超大规模轻量型工作负载，以及公有云、暖存储等领域都会有它的用武之地。 　　真正的至强级内核结构 　　至强D处理器设计为最高8个Broadwell核心，每个Broadwell内核本身又包含一个32KB数据高速缓存及一个32KB指令高速缓存，还有一个256KB的二级共享高速缓存，以及1.5MB的末级高速缓存（LLC Cache），末级高速缓存总容量为12MB，并且在所有内核之间还可以共享。该核心还支持超线程技术，即可以支持16线程。所以，至强D的核心和其它至强处理器是相同级别的，这在性能方面就比之前针对低功耗服务器市场的凌动C2000系列拥有较大的优势，而且能够提供至强级别的功能。 　　由于这一代Broadwell主要是更新制造工艺，其内核架构仍然基于Haswell，因此至强D与至强E系列处理器在所有虚拟化技术、功耗管理RAPL、SMBusPACI接口以及平台存储扩展等方面均保持相同。 　　内存支持能力比凌动C2000强 　　在内存控制器方面，它虽然比之前的至强有所缩减，比如只有两个内存控制器，支持双通道内存，四个DIMMs，支持伸缩式128GB可寻址内存。但内存支持却很全面，不但支持DDR3L和最新的DDR4内存规格，而且SODIMM、UDIMM、RDIMM等内存种类都支持。 　　至强D处理器还支持ECC和非ECC，提供RAS特性，包括一位纠错和双位纠错，同时处理器和DRAM之间具有地址和数据路径纠错的特性，并且对于DDR4，至强D处理器还会使用其他技术，通过置乱来减少错误率。借助DDR4，目前的DIMM技术可以提供两种新功能，一种功能是命令地址模仿，它在Haswell和Broadwell至强D处理器系列产品中均提供。除了该功能，所有的DDR4 DIMM还支持适当的CRC检查，旨在防止写入时出现的错误传播到磁盘，这一功能也在至强D处理器上被使用，以提高使用DDR4技术的容错率。此外，英特尔还在至强D处理器的PCI-EI/O子系统中添加了ECRC保护，支持对CRC包进行微处理，我们可以将包中的CRC信息从设备上直接传送至根组件（Root Complex），而且它会随CRC全程全面保护PCI-E数据以上传的方式通过I/O子系统。 　　不过在这一代产品上，英特尔并未部署和验证某些更高级的特性，如英特尔高端产品上的镜像和备用特性。 　　至强D的内存控制器仍然是服务器级的，叫做本地代理内存控制器复合体HAMC。它通过双向环形总线连接高速缓存和内核部分。连接了8个Broadwell内核及8个末级高速缓存片。该环形总线是一种并行架构，每个内核搭配一个高速缓存片，形成一种物理组织。同时，LLC末级缓存在所有内核间共享，每个高速缓存代表一个独立的处理管道。在这一特定配置中，末级高速缓存支持一次处理多达8个并发请求。并且，整个处理过程是处于智能调控状态，在正常情况下，所有8个内核可以访问整个高速缓存、分布式高速缓存及末级高速缓存，并且动态调配内核访问高速缓存区