大功率IGBT驱动与保护电路研究-集成电路工程专业论文.docx

摘要论文 摘要 论文题目：大功率 IGBT 驱动与保护电路研究 学科专业：集成电路工程 研 究 生： 刘海锋 签 名： 指导教师： 杨 媛 教授 签 名： 张红卫 高级工程师 签 名： 摘 要 随着电力电子技术的快速发展和工业水平的不断提升，功率器件得到了快速的发展。 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)以其良好的综合性能和强大的生命力在光伏发电、 风力发电、机车牵引、汽车电子、家用电器等方面得到了广泛的应用。 IGBT 驱动器是保 证 IGBT 正常运行的前提，它驱动着 IGBT 正常地开通与关断，并且在 IGBT 发生故障后能 够及时保护。IGBT 的驱动与保护技术是电力电子技术中的关键之一，特别是大功率 IGBT 驱动与保护技术备受关注。 本文介绍了大功率 IGBT 驱动与保护电路在国内外的发展现状，主要对大功率 IGBT 驱动与保护电路做了研究。首先，分析了 IGBT 的结构特点、工作原理和工作特性，同时 介绍续流二极管的特性；其次，设计出了适用于 的 驱动与保护电路， 3300V / 1200A IGBT 其主要包括信号隔离部分、CPLD数字控制部分、多等级栅极驱动部分、故障检测及保护 部分、状态反馈部分。采用LM5025控制芯片设计出有源箝位反激式DC-DC开关电源。采 用多等级栅极电阻驱动结构实现软开通和软关断。针对短路故障，采用V 退饱和检测和 CE di/dt检测两种方法并存，在保证可靠性的前提下提高对过流故障的反应速度。除此之外， 保护电路还包括过压保护、欠压保护；最后，通双脉冲实验验证了该驱动电路能安全可 靠地控制3300V/1200A IGBT 开通和关断，并采用对比的方法验证了多等级栅极电阻 驱动器比固定栅极电阻驱动器在ton、Icpeak、Eon、Eoff等方面具有优势。同时，分别通过 硬短路实验和软短路实验，将V 退饱和检测和di/dt检测两方法进行对比，验证了di/dt检 CE 测具有无检测盲区、反应速度快的优点。 关键词：IGBT；驱动；短路保护 本研究得到国家自然科学基金项目（No、陕西省科技统筹创新工程项目 （No.2013KTCQ01-26）、陕西省科技攻关项目（No.201406-01）和西安市科技计划项目 （No.CXY1347(1)）的资助。 I 西安理工大学工程硕士专业学位论文 II Abs Abstract Title: THE RESEARCH OF HIGH-POWER IGBT DIRVERING AND PROTECTING CIRCUIT Major: Integrated Circuit Engineering Name: Haifeng LIU Signature: Supervisor: Prof.Yuan YANG Signature: Hongwei ZHANG Signature: Abstract With the rapid development of power electronic technology and industrial level rising, power device has obtained the rapid development. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ,for its well comprehensive performance and strong vitality, has been widely used in the solar energy, wind power, locomotive traction, automotive electronics, home appliances, etc.IGBT driver is the premise to ensure the normal operation of IGBT, it drives the IGBT turn-on and turn-off normally, and protects the IGBT in case of failure condition.IGBT driving and protection technology is one of the important technology in the power electronic field ,especially high-power IGBT driving and protection