单晶硅太阳电池扩散工艺、背面刻蚀及铝背场工艺的研究-材料物理与化学专业论文.docx

南京航空航天大学硕士学位论文 南京航空航天大学硕士学位论文 单晶硅太阳电池扩散工艺、背面刻蚀及铝背场工艺的研究 单晶硅太阳电池扩散工艺、背面刻蚀及铝背场工艺的研究 i i ii ii 摘 要 就太阳电池制备工艺而言，人们一直致力于传统工艺的优化和新工艺的开发，希望能够进 一步实现电池转换效率的提高和生产成本的降低。基于这一点，本文采用Ⅱ类硅片作为原材料， 对目前商用单晶硅太阳电池工艺方面做了以下三方面内容的研究：单晶硅太阳电池的扩散工艺、 背面刻蚀对单晶硅太阳电池性能的影响和三种不同的铝背场工艺。 首先，介绍了晶体硅太阳电池的基本原理和制造工艺流程；其次，系统研究了各个扩散参 数对单晶硅太阳电池性能的影响；然后，采用离子束刻蚀技术对沉积完 SiNx 减反射膜后的单面 扩散和双面扩散的硅片背面进行刻蚀，刻蚀后电池性能得到改善；最后，阐述了对单晶硅太阳 电池铝背场的研究，其中包括铝浆烧结、真空蒸镀铝膜烧结和磁控溅射铝膜烧结三种制备方法。 通过对扩散工艺的系统研究，发现改变扩散参数后，太阳电池的开路电压 Voc 和短路电流 Isc 一般呈现相反的变化趋势；得出了本实验条件下优化的扩散工艺，此工艺条件既考虑到开路 电压，又兼顾了短路电流，具体工艺参数如下：扩散温度 850℃，主扩时间和再分布时间分别 为 40min 和 15min；此时电池得到最大的转换效率 η 为 16.4%，电池的开路电压 Voc、短路电流 密度 Jsc 和填充因子 FF 分别为 657mV、33.57mA/cm2 和 74.36%，以此优化扩散工艺制备电池的 效率较公司原扩散工艺电池提高了约 0.3%。 对沉积完 SiNx 膜后的单面扩散和双面扩散的硅片背面进行离子束刻蚀后，电池的并联电阻 Rsh、开路电压 Voc、填充因子 FF 和转换效率 η 都得到了提高，提升了电池的性能。对于Ⅱ类硅 片，背面刻蚀以后，双面扩散电池最高转换效率达到 16.4%，比不刻蚀样品增加了 0.68%；而 单面扩散电池最高效率则为 15.99%，比不刻蚀样品增加 0.69%。双面扩散片最高效率值较大的 原因是双面扩散的硅片背面磷吸杂效果好于单面扩散，在同样的刻蚀条件下，双面扩散电池片 背面去除掉的深能级杂质更多，从而获得了更高的电池转换效率。 对于Ⅱ类硅片，在本组实验条件下，采用铝浆烧结制备铝背场的最佳烧结温度为 725℃， 此时电池开路电压达到 575mV；采用真空蒸镀和磁控溅射制备铝膜后烧结，电池的开路电压随 烧结温度的升高而增大，真空蒸镀铝膜最好的烧结温度是 850℃，此时电池的转换效率最高， 为 14.66%，开路电压也有 582mV，继续升高烧结温度到 900℃，虽然开路电压提高到了 590mV， 但是电池的转换效率却降低到了 14.45%；磁控溅射制备铝膜后，当烧结温度为 900℃时，得到 了电池的最大开路电压，为 586mV；而铝膜的烧结温度要高于铝浆，则是因为相同温度下，铝 浆比铝膜扩散的更快。 关键词：单晶硅太阳电池，扩散工艺，离子束刻蚀，铝背场，转换效率 Abstract In the industry of solar cells, people devoted to optimizing traditional technologies and developing new technologies, hoping to improve the conversion efficiency and reduce the cost of solar cells. So in this paper, we studied the fabrication processes of monocrystalline silicon solar cells based on type-II silicon wafers and comprehensively investigated the influence of diffusion process, back side etching process and aluminum back surface field process on the performances of the monocrystalline silicon solar cells. In this paper, we firstly presented the basic principle and the fabrication processes of the solar cells. Secondly, the influence of parameters of the diffusion process on the performan