次磷酸钠还原化学镀铜工艺研究-应用化学专业论文.docx

摘要 摘 要 化学镀铜广泛地应用于电子、航天、机械等领域。传统的甲醛化学镀铜工艺 既污染环境又可对人体造成伤害，因此，开发一种新的无污染化学镀铜技术显得 尤为迫切。以次磷酸钠为还原剂的化学镀铜体系能够克服甲醛镀铜体系的很多缺 点，很有可能会代替甲醛体系。为此，本文针对次磷酸钠化学镀铜工艺进行了一 系列的研究。 首先从化学镀铜的前处理工艺入手，除油工艺选择除油液和超声波技术相结 合，使操作简单化而效果倍增；对碱性高锰酸钾粗化体系进行试验优化后得到工 艺参数：高锰酸钾 50 g·L-1，氢氧化钠 30 g·L-1，温度 70℃，粗化时间 10 min。另 外，发明了一种以过氧化物为主要成分的新型粗化体系，其粗化效果比高锰酸钾 粗化体系的粗化效果更好，但是粗化机理却不同。 其次，对以次磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺进行了优化，得到最合理的工 艺参数为：硫酸铜 8.0 g·L-1；硫酸镍 0.8 g·L-1；亚鉄氰化钾 2.0 mg·L-1；次磷酸钠 30 g·L-1；柠檬酸钠 20 g·L-1；硼酸 30 g·L-1；聚乙二醇 600 100 mg·L-1；pH 为 9； 温度为 75℃；得到的镀层方阻小于 0.01 ?／□。随后讨论了次磷酸钠体系中影响其 镀层沉积速率的参数，确定了次磷酸钠体系还原化学镀铜各个参数的控制范围； 然后对比了次磷酸钠体系和甲醛体系，得出的结论是：次磷酸钠体系获得的镀层 铜颗粒比较粗大，导电率较差，但机械强度较高；而甲醛体系获得的镀层铜颗粒 粒度较细，但机械强度低些。 最后探讨了添加剂对次磷酸钠镀铜体系的影响。结果表明：添加亚铁氰化钾 和 2，2ˊ-联吡啶都能够显著降低镀层沉积速率，添加马来酸对镀层沉积速率的影响 是先升后降；且马来酸对镀层沉积速率的降低程度没有亚铁氰化钾和 2，2ˊ-联吡啶 大；添加了亚铁氰化钾、2，2ˊ-联吡啶和马来酸都能够显著改善镀层形貌，使镀层 由原来的粗糙、棕黑变得细致光亮；三种添加剂都可以不同程度地降低镀层的孔 隙率；添加亚铁氰化钾、2，2ˊ-联吡啶和马来酸都能降低镀层的电阻率，当添加剂 浓度增大到一定程度时，将对镀层电阻率的影响趋于平缓。 关键词：次磷酸钠，化学镀铜，环氧树脂，沉积速率，电阻率 I ABSTRACT ABSTRACT Electroless copper plating is widely used in electronics, aerospace, mechanical engineering, etc. For that traditional formaldehyde electroless copper plating technique not only pollutes the environment but also does harm to body, it is particularly urgent to develop a new non-polluted electroless copper plating technology. Electroless copper plating system uses hypophosphite as reducing agent overcomes many defects of the system which uses formaldehyde as reducing agent, and the former is most likely to replace the later one. Therefore, on account of hypophosphite electroless copper plating technique, this paper carried out series of study. At first, the thesis starts with pretreatment technique of electroless copper plating, oil removing chosen a new technique that combined oil removing solution with ultrasonic technology. The operation was simple and effective. Technological parameters of alkaline potassium permanganate roughtening system was optimized as KMnO4 50 g·L-1, NaOH 30 g·L-1, temperature 70℃, roughtening