非磁性元素掺杂半导体材料中自旋极化的实验与第一性原理研究-材料科学与工程专业论文.docx

万方数据 万方数据 摘 要 为促进自旋电子器件的发展，寻找新的高自旋极化材料，实现极化电流从磁 性材料到半导体材料的高效注入成为研究热点。近年来，人们发现在不含有过渡 金属或稀土金属元素的体系中同样可以存在铁磁极化，其磁性的主要来源为半导 体中的点缺陷，也就是 s 电子或 p 电子。而在宽带隙半导体中，s 轨道往往对应 施主价电子，p 轨道则对应受主空穴。因此，研究半导体本征缺陷对磁性的调控 机制，不仅可以加深对 sp 型半导体材料中自旋耦合作用的理解，而且对新型自 旋注入器件的研究也具有一定的指导意义。 在施主缺陷的研究中，本文通过直流反应溅射制备多晶 SnNx 薄膜，其具有 六方相富 Sn 结构且在 500 °C 以上发生热分解，复合缺陷导致薄膜带隙达 3.10 eV 并具有金属导电性，其随基底温度的升高与铁磁性的变化趋势相反。磁性的主要 来源为晶粒边界或界面处不均匀分布的点缺陷引入的未配对电子。通过射频溅射 制备多晶 Ce1-xSnxO2 薄膜，研究等价元素掺杂对电子结构和磁性的影响，发现 Sn 掺杂利于体系磁性的增强，但浓度高于 6%后无影响。实验分析表明磁性主要与 结构畸变、Ce3+和氧空位的浓度有关。通过 Ce-O-Ce 形成的超交换机制以及 F-center 的形成有助于局域磁矩之间的长程铁磁耦合。 对受主缺陷的极化研究，通过掺杂低价阳离子或高价阴离子向本征 n 型材