华工网院模拟电子技术随堂练习20152016.docVIP

第1章常用半导体器件 当前页奋8题，你己做8题，己提交8题，其中答对8题。 N型半导体的多数载流子是电子，因此它应(C )。 A.带负电 B.带正电 C.不带电 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将(B )。 A.变窄 B.变宽 C.不变 二极管的死区电压随环境温度的升高而(C )。 A.增大 B.不变 C.减小 4. 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10Sir^tV时， 输出电压最大值为10V的电路是(C )。 5. 5. 电路如阁所示，DI, D2均为理想二极管, 出电压uO应为(D )。 最大值为40V,最小值为0V 最大值为40V，最小值为+10V 最大值为10V，最小值为一40V 最大值为10V,最小值为0V 设 U1=1OV，ui=40sinotV,则输 稳压管的动态电阻以是指(B )。 稳定电压久与相应电流IZ之比 稳压管端电压变化量AUZ与相应电流变化量AIZ的比值 稳压管正向压降与和应正向电流的比值 在放大电路屮的晶体管，其电位最高的一个电极是（B ）。 A. PNP管的集电极 B. PNP管的发射极 C. NPN管的发射极 D. NPN管的基极 已知放人电路屮某晶体管三个极的电位分别为VE=-1. 7V, VB=-1.4V, VC=5V,则该管类型为（A ）。 A. NPN型锗管 B. PNP型锗管 C. NPN型硅管 D. PNP型硅管 第2章基本放大电路 当前页有10题，你己做10题，已提交10题，其中答对7题。 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电 极电流 （B ）o 反向 B.近似等于零 C.不变 D.增大 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（C）。 发射结反偏，集电结正偏 发射结、集电结均反偏 发射结、集电结均正偏 发射结正偏、集电结反偏 晶体管的电流放大系数3是指（B ）。 工作在饱和区时的电流放大系数 工作在放大区时的电流放大系数 工作在截止区时的电流放大系数 4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于（B ）。 A. B. 300Q+?-L c. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管 处在（ B ）。 截止状态B.放大状态C.饱和状态 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（B ）。 P沟道耗尽型MOS管 N沟道增强型MOS管 P沟道增强型MOS管 N沟道耗尽型MOS管 己知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压~^?约 为（C ）。 A. OV B. +2V C. -2V D. -IV 8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=1OV, UGS=OV处的跨 导gm约为（A ）。 A. 1mA. /V B. 0. 5mA. /V C. -1mA. /V D. -0. 5mA. /V 如图示放大电路中接线有错误的元件是（B ）。 A.RL B.RB C.C1 D. C2  放大电路如图所示，由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失 真，为了改善失真，正确的做法是（C ）。 八.适当增加RB2,减小RBI B.保持RB1不变，适当増加RB2 C.适当增加RB1,减小RB2 D.保持RB2不变，适当减小RB1 图示电路，已知晶体管岁=6°,尽忽略UBE,如要将集电极电流 1C调整到1. 5mA. , RB应取（ A ）。 A. 480kW B. 120kW C. 240kW D. 360kW 电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位 UC应等于（ A ）。 A. 6V B. 0V C. 0. 6V D. 5. 3V  某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q5 需使（C ）。 A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小 ^ = 4OfA ^ = 4OfA 单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的 （A ）0 ni n 对放大电路进行动态分析的主要任务是（C ）。 确定静态工作点Q B.确定集电结和发射结的偏置电压 C.确定电压放大倍数4和输入，输出电阻ri, rO。 16.如［某一固定偏置NPN 16. 如［ 某一固定偏置NPN管共射放大电路如 2所示，造成这种失真的原因是（C 1所示，其输入和输出电压波形 ）o 管子的4值太小B.电路电源电压^^太高 C.偏置电阻知太小D.偏置电阻屯太大 曲■l 曲 如图所示的放大电路（C ）。 不能稳定静态工作点。 能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差。 能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好 与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是（A）。 A.输入电阻高，输出电阻低 B.输入电阻低，输出电阻高 C.输