氮化硅和碳化硅及其复合双层减反射膜研究-材料加工工程专业论文.docx

I I 氮化硅和碳化硅及其复合双层减反射膜研究 摘 要 太阳电池的转换效率的提高一直是太阳能光伏行业研究的热点，在太阳电池表面 形成减反射膜是提高其转换效率的有效途径之一。目前太阳电池减反射膜在实际应用 中主要采用等离子体化学气相沉积法制备的 SiNx 减反射膜，但生产过程中由于使用 硅烷气体而存在安全隐患，采用磁控溅射法能避免上述问题的出现并在低温环境下制 备得到非晶的 SiNx 薄膜；另外，由于双层减反射膜的减反效果明显优于单层减反射 膜，且 SiC 薄膜在太阳电池窗口层中已有广泛应用，具有良好的光学、力学性能、抗 辐射性能和钝化能力，将它们用作双层减反射膜材料并研究其组织结构、形貌特征、 力学和光学性能对提高太阳电池的使用寿命具有重要意义。 本文以石英玻璃和不锈钢作为基底材料，采用射频磁控溅射SiC、SiNx陶瓷靶的 方法，通过改变溅射时间，溅射功率，工作压强等沉积条件，制备了一系列的SiC、 SiNx薄膜，并采用TCFCAL光学薄膜设计软件设计得到的SiC/SiNx双层减反射膜，采 用划痕仪，紫外-可见光分光光度计，X射线衍射仪(XRD)，原子力显微镜(AFM)，椭 圆偏振仪等设备对薄膜的组织结构和力学、光学性能进行了研究。主要结论如下： （1）SiNx 薄膜试样中一定含有 Si-N2-Si2 键合结构，而 SiC 薄膜主要以 Si-C 键形 式存在，可能含有 Si-C-H 键；SiNx、SiC 薄膜和 SiC/SiNx 双层减反射膜都以非晶结 构存在，都可能含有微晶结构，其中 SiC 薄膜在 35.6o 衍射角处存在一个微弱的(111) 衍射峰，SiC/SiNx 双层减反射膜在 22°衍射角附近可能存在衍射峰，SiNx、SiC 薄膜 经过 1000℃真空退火处理后非晶结构稳定，高温稳定性好； （2）在 100W~175W 溅射功率范围内，SiNx、SiC 薄膜晶粒呈柱状或颗粒状生长， 均呈椭圆状；高温退火处理可明显改善 SiNx、SiC 薄膜的表面结构，能大大减小其表 面均方根粗糙度 Rrms 并有助于细化晶粒，得到更加平滑均匀的致密性优良的薄膜，当 溅射功率为 125W 时，SiNx 薄膜晶粒细化效果尤为明显；在 100W 溅射功率下，不同 氩气压强下的 SiNx 薄膜的都呈现出良好的膜层结构，颗粒尺寸均匀性好，膜层致密 性良好，在 1.0Pa 溅射压强下可制备得到平滑致密的 SiNx 薄膜；在 75W～175W 的溅 射功率范围内，SiC 薄膜随着溅射功率的增大，颗粒度的总体变化呈现先增大后减小 II II 的趋势，但不同氩气压强条件下出现最大颗粒尺寸时的溅射功率大小有所不同；而 SiC/SiNx 薄膜随着溅射时间的增加其颗粒直径和粗糙度均变大； （3）SiNx、SiC 薄膜的复合显微硬度随着溅射功率的增加而不断递增，膜基结 合力也呈现增大的趋势，且当溅射功率为 150W 时它们的硬度变化明显；膜基结合力 与复合显微硬度变化曲线规律性相似； （4）75W～175W 溅射功率范围内的 SiNx、SiC 薄膜的生长速率随着溅射功率的 增大而不断 增大， 但 SiNx 薄膜生长速率 呈线性增 长，由 6.440nm·min-1 提高到 13.052nm·min-1；SiC 薄膜的生长速率增幅在 150W 溅射功率时突然变缓；SiNx、SiC 薄膜随着溅射功率的增加薄膜的折射率也逐渐变大，SiNx 薄膜折射率变化范围维持在 1.72～2.25；而 SiC 薄膜的折射率大小在 1.71～2.95 范围内变化，且在较低溅射功率 下薄膜折射率变化不大； （5）SiNx 减反射膜的透射率在 100W 溅射功率和 2.0Pa 氩气压强条件下表现更 为优异，而 SiC 单层减反射膜在 125W 和 3.0Pa 的溅射工艺下透射率更好；SiNx 薄膜 在溅射功率为 100W 时具有高达 85%的透射率，而 SiC 薄膜在 125W 溅射功率附近具 有更加优异的透射性能，它们在氩气压强为 2.0Pa 时薄膜都具有更佳优异的透射性能， 且经过退后处理后的薄膜透射率均有所下降，随着退火温度的升高透射率也随之下 降； （6）理论设计得出 SiC、SiNx 的膜层厚度分别为 76.4nm 和 106.8nm 时的 SiC/SiNx 双层膜具有最佳减反效果。 关键词：磁控溅射，减反射膜，SiC 薄膜，SiNx 薄膜，表面形貌，透射率 III III Study on the SiC/SiNx Double-Layer Nanometer Aatireflection Coating ABSTRACT Improving the conversion efficiency of solar cells has been a research foc