氮和氢离子注入单晶硅引起的损伤研究-材料物理与化学专业论文.docx

I I 摘 要 高剂量气体离子注入单晶 Si 会在材料内部产生各种损伤，如气泡、板状缺 陷、空腔、非晶化，经退火处理后还可以导致表面发泡、剥离等表面损伤。气体 离子注入单晶 Si 引入的这些损伤在半导体器件中具有非常广泛的用途。由此，采 用气体离子注入半导体材料研究辐照损伤及其应用引起了人们的日益关注。本论 文采用 N 和 H 两种离子注入单晶 Si 材料，通过多种表面和微结构测试手段，详 细地研究了 H 离子单注入、N 离子和 H 离子联合注入 Si 样品退火后表面损伤形 貌和内部微观缺陷的形成和热演变，同时还研究了 N 离子单注入及 N 和 H 离子 联合注入单晶 Si 两层损伤，此外，基于实验研究结果对表面损伤形成机制和第二 层损伤的成因进行了解释。具体研究内容及结果如下： （1）将 190 keV、剂量分别为 5?1015 cm-2 和 1?1016 cm-2 的 N 离子和 80 keV 剂量为 3?1016 cm-2 H2 离子联合注入单晶 Si 中，单 H 注入的样品作为参考。注入 后样品在氮气氛下进行 300℃到 600℃的 1 小时退火处理。采用光学显微镜(OM)、 原子力显微镜(AFM)、横截面试样透射电子显微镜(XTEM)、微区拉曼散射(RSS)、 正电子湮灭谱仪(PAS)详细地分析了表面损伤和内部缺陷的微观结构。结果表明： H 单注入及 N 和 H 离子联合注入的两种样品表面发泡及剥离程度随退火温度升 高而增强。与单 H 离子注入样品相比，低剂量 N 离子联合注入的样品表面损伤 程度变化不大，而高剂量 N 离子联合注入导致了发泡和剥离增强。实验观测到剥 离坑的深度和 H 离子的射程一致。微结构分析表明 N 注入区产生严重的损伤， 局部出现非晶区，加 H 注入之后损伤减轻，出现大量板状缺陷，退火之后板状缺 陷长大成微裂隙，最终导致表面发泡剥离。 （2）实验研究观测到了 190 keV N 离子注入单晶 Si 产生两层损伤。采用 XTEM 对两层损伤的结构进行了详细的表征。研究结果表明，N 离子注入产生的 第一层损伤分布在其射程附近，主要由空位团簇等缺陷组成；而第二层损伤分布 在二倍射程之后，主要由{311}缺陷构成。后续的 H 离子辐照在第一层损伤层中 产生了平行于表面的板状缺陷，同时使得两层损伤中间的过渡区域的结构恢复。 结合注入产生的损伤和应力对第二层损伤带形成机制进行了探讨。 关键词：离子注入；单晶硅；两层损伤；氮和氢离子注入；表面发泡与剥离； 板状缺陷和{311}缺陷 II II ABSTRACT High fluence gas ions implantuion into crystalline Si can create various defects, such as bubbles, platelets, voids and amorphous zone. Subsequent annealing could lead to occurrence of surface blisters and exfoliation. Such damage has wide potential applications in modern semiconductor device fabrication. Presently, the study of gas ion implantation induced damage together with its potential applications has been received more and more attention. In this dissertation, crystalline n-type Cz Si (100) wafers were singly implanted with nitrogen ions and hydrogen gas ions, or sequentially implanted with nitrogen and hydrogen gas ions. The formation and thermal evolution of the surface damage as well as microstructure defects have been studied in detail by using various techniques. Moreover, the possible mechanisms for creation of defects under N and H ion implantation have been discussed. The research c