金属氢化法制作奈米裂隙表面传导电子发射显示技术应用.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 金屬氫化法製作奈米裂隙─表面傳導電子發射顯示技術應 用(第 3年) 研究成果報告(完整版) 計 畫 類 別 ： 個別型 計 畫 編 號 ： NSC 97-2221-E-009-016-MY3 執 行 期 間 ：99年08月01日至 100年07月31日 執 行 單 位 ：國立交通大學材料科學與工程學系（所） 計 畫 主 持 人 ： 潘扶民 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：孫德翰 碩士班研究生-兼任助理人員：鄭心怡 碩士班研究生-兼任助理人員：魏振洋 博士班研究生-兼任助理人員：黃建融 博士班研究生-兼任助理人員：余東原 博士班研究生-兼任助理人員：蔡志豪 處 理 方 式 ： 本計畫可公開查詢 中 華 民 國 100 年 10月 25 日 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 金屬氫化法製作奈米裂隙-表面傳導電子發射顯示技術應用 計畫編號： NSC 97-2221-E-009-016-MY3 執行期限：97 年 08 月 01日至 100 年 07 月 31日 主持人：潘扶民國立交通大學材料科學與工程研究所 計畫參與人員：蔡志豪，黃建融，陳冠榮，鄒泰銓，魏振洋，鄭心怡 一、中文摘要 質。在熱退火製程中，白金 基材 ，金屬鈀與 本研究提出鈀金屬氫化法 (Palladium 氧化鈀 三者晶格常數的 差異，導致鈀薄膜選 Hydrogenation) 來加以製作奈米級裂隙 擇性地在一般基材上氧化 ，形成粗糙的氧化 (Nanogap) ，此製程擁有簡易、高操控性與可 鈀 ，但在白金上則無法形成完整氧化鈀薄 控制尺寸大小等特色。藉由實驗結果與理論 膜 。我們對鈀 金屬奈米裂縫進行熱退火處 分析來深入研究表面傳導電子發射源(Surface 理，探討退火溫度與場發射性質的關係，發 Conduction Electron Emission, SCE)之場發射 現驅動電壓隨著退火溫度升高而減小。經過 特性、效率及其穩定性測試。 550 oC 退火的表面傳導電子發射元件，其驅 為了在 SCE結構中獲得較小裂隙寬度， 動電壓由 110 V降低為 40 V ，並且場發射效 本研究利用有限元素分析探討在不同Pt/Ti電 率在閘極電壓為40 V時即可到達 2% 。不僅 極厚度條件下， SCE 結構內之應力分布情 驅動 SCE 元件的閘極電壓以及陽極電壓達到 形，根據研究結果顯示，最佳化之SCE結構 有效的下降，效率更優於傳統平面式 SCE電 之 Pt/Ti電極厚度為 20 nm ，其奈米裂隙寬度 子源(~1.03 %) 。 可小於 18 nm ，並具有較佳之場發射特性，如 關鍵詞：鈀，氧化鈀，氫化鈀，相轉換 ，奈 較高的場發射電流與較低的啟始電壓。此 米裂隙，表面傳導電子，場發射 ，選擇性氧 外，利用聚焦離子束法(Focused Ion Beam, FIB) 化 。 製作具有平坦的陰極表面與平整的裂隙邊 緣，並將之與氫化SCE電子源進行場發射特 Abstract 性比較，結果顯示氫化SCE電子源