高价态差掺钼氧化物透明导电薄膜的研究-物理电子学专业论文.docxVIP

蜘删Iu 蜘删Iu r学f冉I?学位论史 ，：’“价态恐掺训饥化物透I必导Iu薄膜的Ⅲ宄 强旦上军 ■ ， 摘 要 ／ 媾经过退火等处理过程，仅采用通常的反应蒸发法就在350。C的玻璃綦底I：制符 f』j了质最优良的掺锃j氧化铟(In203：Mo，IMO)薄膜。所制衍的IMO游膜I邯¨牢山矗 低达1．7x10。4Q cm，在可见光区域的平均透射率(含1．2mlTl厚玻璃基底)和列4 um 以上波长￡13F线的反射率都超过80％，等离子振荡波长大约在2．2 um序右，)ti学禁 带宽度约为4．0 eV。 用反应蒸发法制备的IMO薄膜的电阻率已接近目前透明导电氧化物(TCO)薄 膜的最好水平，而自由载流子浓度只有2x1020～4x1020cm一，还有很大的发展窄问ii]‘ 以进一步提高性能：特别是IMO薄膜的载流子迁移率高达100 cm2V。’s。以J：，远超 过已报导的其它掺杂TCO薄膜的载流子迁移率。 基底温度对反应蒸发法制备IMO薄膜的性能影响．咐；{．『i‘弧。随竹J，E底濉J竖的降 低，IMO薄膜的透明性和电导率都迅速下降。在反应气体中掺入无极高频放I【i产f卜 的03后，极大地提高了In的氧化程度，在不加热基底上制备的IMO薄膜的电阻牢 小于5,0 x J0。Q cm，在1000c基底温度时电阻率小于1．5 x 10。Qcm；同时它们存可 _ 见光区域的总平均透射率(含1．2 mm厚载玻片基底)都超过80％。 为制备商质量的TCO薄膜，在玻璃基底上必须要先制备一层扩散陆l挡层(如 Si02)。在反应蒸发法制备IMO薄膜时，只要适当延迟掺Mo的起始时间，就可以往 玻璃和IMO薄膜之f11IJ形成一层很薄的In203层。』}j ln203作为扩散／{l[}ilJ：，-F会影响 IMO薄膜的晶格结构、透明性和附着力等性能，但是却能有效地阻II：玻璃坫底·I·杂 质的通过。 在较高温度下制各的IMO薄膜中，晶界对载流子的散射不起蕾要作川。真窄退 火使IMO薄膜的载流子浓度和载流子迁移率都增加，而大气退火则使载流’f浓度和 载流子迁移率都降低。在较低温度的基底上沉积的1MO薄膜表而会吸附较多的原予 念氧，这些吸附的氧在退火过程中会影响IMO薄膜的性能。 在IMO薄膜L|1’Mo以Mo”形式臂代了In203 II·的In”化胃，没订形成新的化合 物，也没有改变In203的方铁锸矿晶格结构。而通常都认为简并半导体掺杂TCO薄 膜的载流予迁移率主要受电离杂质散射的影响，与带电离子的有效fU倚数人致呈反比 关系，冈此，价态差为3的IMO薄膜的载流子迁移率远低于价态差为1的In203：Sn (ITO)薄膜。这与我们的实验结果十H反。广’7 首次引入复合效应对不同价态差的TCO薄膜的载流予浓度及其迁移率进行了分 析。随着掺杂离子与晶格间隙氧离子发生复合的几率的增大，价念差分别为3和4 的TCO薄膜中的带电离子散射迁移率也随之增大，分别趋于价念差为1和2的TCO 薄膜的带电离子散射迁移率。而对于价念差为3的TCO薄膜，出于电中性复合粒予 数量较少，对载流子的散射最弱。因此，在复合几率较大的情况下，IMO薄膜有可 能获得比ITO薄膜更高的载流子迁移率。 采用反应蒸发法和采用反应直流磁控溅射法制备的Sn02：Mo(TMO)薄膜的丽电 阻都很大，甚至会超过未掺杂的Sn02的面电阻。可能原因之一就是复合效应使掺入 的M06+失去贡献自由载流子的作用，并且增大了对载流子的散射。 关键词：透明导电薄膜掺杂氧化物掺钼氧化锢 分类号：0484 塑型!!王堂鲨!：堂丝堡苎 塑型!!王堂鲨!：堂丝堡苎 I型!查薹丝!!丝垡塑堕型壁!!塑堕塑业塑 堡!!兰 ● Transparent Conductive Molybdenum Doped Metal Oxide Thin Films with High Valence Difference between Dopant and Ion Substituted Abstract Without any special treatments，high quailty In203：Mo(IMO)films were deposited on glass at 350 oC by conventional thermal reactive evaporation method．The electrical resistivity of IMO films was as Iow as I．7x101 Q em．The average total spectral tra