高介电常数氧化物微观结构与电学性质的第一性原理研究-电路与系统专业论文.docxVIP

Classified Classified Index：0474 Secrecy Rate： Publicized UDC：530 University Code： 10082 Hebei University of S cience and Technology Dissertation for the Master Degree Microstructrue and electrical properties in high dielectric constant oxide：A First—principle Study Candidate： Duan Fengxia Supervisor： Associate Prof．Wang Baozhu Associate Supervisor： Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Circuits and Systems Employer： S chool of Information Science and Engineering Date of Oral Examination： May,2015 万方数据 ；．--I：t匕科技大学学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工 ；．--I：t匕科技大学学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究工 作所取得的成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方 式标明。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发 表或撰写过的作品或成果。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名：段J虱雷 指导教师签名：饥 )口15年箩月弓旧 沙l 5年3玛3 1日 ；．---I：i匕科技大学学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留 并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本 人授权河北科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 口保密，在一年解密后适用本授权书。 本学位论文属于 √不保密。 (请在以上方框内打“√”) 学位论文作者签名：辖J虱霞 指导教师签名： 跏 f7 2洒年5月弓l Et 沙，岁年岁月；f日 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 本文采用第一性原理研究方法、以密度泛函理论(DFT)为理论基础，对作为 金属氧化物半导体场效应管栅介质材料的H幻2进行了研究。选用单斜晶系结构的 Hf02材料，研究其微观结构和电学性质。研究结果显示体材料Hf02是间接带隙半导 体，且电子结构计算表明Hf02的价带和导带分别主要由0原子的劲轨道、Hf原子 的5d轨道构成。本文系统地对Hf02的本征空位、替位、填隙缺陷和掺杂N、Si、 越、Ta的缺陷结构进行了研究，计算了在富氧和富铪生长条件下，Hf02不同价态缺 陷的形成能和电荷转变能级。计算表明缺陷在富铪的生长条件下容易形成，且在富 氧的生长条件下，+1价的钽原子替位铪原子、一l价的铝原子替位铪原子、．4价的铪 空位缺陷最容易形成；在富铪的生长条件下，“价的铪填隙、+2价的三重配位氧空 位、．1价的氮原子替位四配位氧缺陷最易形成。Hf02中部分带电缺陷的热力学转变 能级处于Si的带隙中，会俘获或释放电荷，形成费米能级钉扎效应，造成载流子的 散射，晶体管阈值电压的偏移，严重地影响晶体管工作的稳定性。本论文的研究目 的是为实验上设计界面性质和电学性质俱佳的晶体管高k栅介质材料提供理论依据。 关键词第一性原理；缺陷；电子结构；形成能；电荷转变能级 万方数据 河北科技大学硕士学位论文Abstract 河北科技大学硕士学位论文 Abstract In this paper,HIDE which al the metal—-oxide--semiconductor field·-effect transistor gate dielectrics materials were investigated using the first-principle-calculations based on density functional theory(OFD．And the electronic structure and properties in monoclinic Hf02 were studied．The results show that the band gap is indirect in Hf02 bul