高介电常数材料在功率器件上的应用研究与新器件的实现-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

万方数据 THE INVESTIGATION OF HIGH PERMITTIVITY MATERIAL APPLICATIONS ON SILICON POWER DEVICES AND THE REALIZATION OF NOVEL POWER DEVICES WITH HIGH PERMITTIVITY MATERIAL A Doctor Dissertation Submitted to University of Electronic Science and Technology of China Major: Microelectronics and Solid-State Electronics Author: Junhong Li Advisor: Prof. Ping Li School : School of Microelectronics and Solid-State Electronics 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地 方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明 确的说明并表示谢意。 作者签名： 日期： 年 月 日 论 文 使 用 授 权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁 盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文 的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或 扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 作者签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘要 摘 要 功率器件是电能转换中不可或缺的部分，其性能直接影响到能量转换的效率。 虽然目前便携式电子产品的功能日渐强大，但越来越短的使用时间已经成为一个 重要的瓶颈。然而电池技术难以在短期内实现突破，所以目前只能通过提高能量 的转换效率的方法来延长便携式产品的使用时间。而功率器件的性能直接决定了 能量转换的效率，尽管人们开展了大量的工作来优化功率器件结构，提高功率器 件性能，但由于材料的原因，功率器件性能提高总是受到一定的限制。高介电常 数材料（高 K 材料）在半导体上的引入，使纳米器件打破了栅极漏电的瓶颈，成 功的使摩尔定律走到了 90nm 线宽以下。然而，鲜有文献关注到高介电常数材料在 功率器件上的应用，更没有文献对使用高介电材料的功率器件进行分析和报道。 在国家 973 XXX 项目（编号：50772XXXX）和电子薄膜与集成器件国家重点 实验室开放式基金（编号：CXJJ201101）的资助下，本文作者对高介电常数材料 与硅的交互作用进行了较为全面的研究，找出了两者电场交互作用机理。同时针 对功率器件应用的要求，对高介电常数材料进行了材料特性的研究，开发出了高 介电材料介质 LDMOS 的 BCD 兼容工艺，并成功流片，实验验证了高介电材料对 功率器件性能的优化作用。在此基础上，将高介电材料应用到了纵向器件上，提 出了基于高介电常数材料的超级硅功率器件，分析其机理并进行了仿真验证。具 体开展了以下几点工作： 1. 实现了国际上第一个以高 K 材料锆钛酸铅（PZT）作为栅极介质的 LDMOS 器件。由于高 K 的作用，该器件的耐压是同等条件下使用 SiO2 介质的 LDMOS 的 3 倍。该器件已申请中国发明专利并获得了授权（专利号：201110007009.1）。以此 器件耐压特性为研究目标的课题：《高 K 介质 LDMOS 的研究》已于 2011 年 9 月 获得电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放式基金资助（编号：CXJJ201101）。 2. 指出了前人关于场板边缘峰值电场理论的不足。传统理论认为：场板边缘 的击穿电压等同于一个结深为(εsi/εdie)tdie 的平行平面结的击穿电压。εsi、εdie、tdie 分 别是硅介电常数，场板介质的介电常数及厚度。根据上述结论，在 εsi、tdie 不变的 情况下，εdie 越大，结深越小，场板边缘的击穿电压反而越低。而本论文通过理论 仿真和流片实验，充分证明了场板边缘的击穿电压将随 εdie 的增加而增加，并非降 低。该发现已发表在 IEEE Electron Device Letters 2011 年第九期。 I 摘要 3. 提出了高 K 场板的全新耐压机理。传