高介电聚合物薄膜制备及其介电性能研究-光学工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 作者签名： 日期： 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 （保密的学位论文在解密后应遵守此规定） 作者签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 万方数据 万方数据 摘 要 摘 要 由于资源的日益匮乏，人类对资源的利用、储存的效率都有更高的要求，因 此相关领域的研究备受重视。高储能密度电容器是电子电力行业中最重要的储能 类元件之一，而储能类电容器中的高介电薄膜层更是直接影响储能电容器性质的 关键。本论文采用溶液流延法制备高介电 PVDF 薄膜以及 PVDF / 纳米BaTiO3 复合 薄膜，通过表面形貌，结晶情况，热稳定性以及介电性能几个方面综合评价薄膜 特性。 运用溶液流延法制备了不同浓度，不同厚度的 PVDF 薄膜，利用阻抗分析仪 和耐压测试仪分析薄膜的三项介电指标发现，当 PVDF 浓度达到 6 wt%时，所得 薄膜的介电常数达到最大值为 9.37，浓度达到 8 wt%时，损耗最小为 0.02，同时 击穿场强达到最大值 53V/μm，综合判断选定 8 wt%作为 PVDF 薄膜的最佳浓度； 分析 8 wt%浓度的 PVDF 薄膜的表面形貌，结晶情况以及热稳定性，发现其溶液 流延法制得的 PVDF 薄膜中结晶区与非晶区共存，且存在的晶型主要是无极性的 α 晶型，热分解温度为 440℃；研究薄膜厚度对 PVDF 薄膜性能的影响，发现其介 电常数，损耗以及击穿场强均随着薄膜厚度的减小而增大，10μm 时三项指标分 别为 10.04，0.024，76 V/μm；选取 8 wt%浓度的 PVDF 厚膜进行拉伸调制，发现 较未拉伸的 PVDF 薄膜的介电常数 9.21 提高了 9.88%达到 10.12；损耗为 0.018， 较未拉伸的 PVDF 薄膜损耗 0.021 亦有所降低，测试击穿电压为 44 V / ?m 较未拉 伸的 PVDF 薄膜的 53 V / ?m 下降了 16.98%。 通过溶液流延法制备 PVDF /纳米 BaTiO3 复合薄膜，研究复合薄膜的相关性 能，复合薄膜体系的介电常数随着薄膜中 纳米BaTiO3 质量分数的增大而增大， 纳米BaTiO3 占 30 wt%时，介电常数增大到 32.41 较纯 PVDF 薄膜增大了 250%； 介电损耗在纳米 BaTiO3 占 30 wt%质量分数时也迅速增大到了 0.082；击穿场强则 随着纳米 BaTiO3 质量分数的增大经历了一个先增大在减小的过程，纳米 BaTiO3 质量分数为 10 wt%时，击穿场强达到了 78 V / ?m ，比纯 PVDF 薄膜的击穿场强 提高了 40%以上；通过表面形貌分析了掺杂对复合薄膜质量的影响，XRD 分析发 现掺杂纳米 BaTiO3 使复合薄膜体系结晶度提高，且 PVDF 中的主要晶型变为了 β 晶型，同时随着加入 BaTiO3 的增多复合薄膜体系的热分解温度也相应提高。 关键词：高储能密度电容器，PVDF 薄膜，PVDF/纳米 BaTiO3 复合膜，介电性能 I ABSTRACT ABSTRACT Due to the increasing scarcity of resources, human has higher demand for improving resource utilization and storage efficiency. Related fields of study have drawn increasing attention recently. The high energy density capacitor is one of the most important storage components in the electronic industry, and the high dielectric thin film layer is a critical factor affecting the high energy storage capacitor. In t