高导热氮化硅陶瓷的制备及性能研究-材料学专业论文.docxVIP

山东理工大学硕士学位论文 摘 要 万方数据 摘 要 随着电子信息技术的飞速发展，散热问题严重制约了电子器件向高密度、多功能、 高速化和大功率的发展。Si3N4 陶瓷因具有与 AlN 相近的理论热导率(320W·m-1·K-1)、与 单晶 Si 相近的热胀系数、电绝缘以及机械性能良好、无毒等特点，被认为是一种很有潜 力的高速电路和大功率器件的散热和封装材料。 本文以 MgO、Y2O3 及 CeO2 作为复合烧结助剂，采用气压烧结的方法，在 1800℃、 4MPa N2 压力下烧结 4h 制备出了 Si3N4 陶瓷，系统地研究了烧结助剂体系对所制得的氮 化硅陶瓷致密度、热导率、抗弯强度及介电性能的影响。在 MgO-Y2O3 二元烧结助剂体 系中，当 Y2O3 的加入量为 4wt%时，所制得的试样的相对密度达到了 98.9%，热导率为 52W·m-1·K-1，抗弯强度为 798MPa，介电常数为 8.49，介电损耗为 5.49×10-3，综合性能 为最佳；在 MgO-Y2O3-CeO2 三元烧结助剂体系中，发现随着 CeO2 含量的增加，材料的 致密度、抗弯强度及热导率降低；与 MgO-Y2O3 二元烧结助剂体系相比较，在相同烧结 助 剂 总 量 的 情 况 下 ， 添 加 了 CeO2 试 样 的 热 导 率 偏 低 ， 在 烧 结 助 剂 总 量 为 8wt%(4wt%MgO+3wt%Y2O3+1wt%CeO2)，热导率的最大值也仅有 44W·m-1·K-1。 将经 1800℃烧结、添加了 4wt%MgO+4wt%Y2O3 烧结助剂的试样在 1750℃下进行退 火处理，发现经退火处理后，试样发生了明显的玻璃相析晶和晶粒异常长大的现象，随 着退火时间的延长，材料的热导率呈增大的趋势。当退火处理 6h 时，材料的热导率达 到了 81W·m-1·K-1；随着退火时间的延长，材料的介电常数的变化不大，但是介电损耗却 呈增大的趋势，玻璃相的析晶和晶粒生长对介电损耗的影响存在相反的作用，玻璃相的 析晶会降低材料的介电损耗，而晶粒的生长会增大材料的介电损耗，经退火处理 2h 后 的试样的介电损耗达到最小值(4.92×10-3)。 探索性地尝试通过掺杂 AlN，采用气压烧结的方法来提高 Si3N4 陶瓷的热导率，但 是结果发现，所制备的试样的热导率偏低。研究发现，随 AlN 含量的增加，材料的致密 度下降，主要原因是 AlN 的加入抑制了α-Si3N4→β-Si3N4 的相转变。当 AlN 含量为 30wt% 时，材料的气孔率达到了 22.5%；随 AlN 含量??增加，材料的抗弯强度及热导率降低， 介电损耗增加，主要原因在于材料致密度的下降。当 AlN 含量为 15wt%时，材料的热导 率为 32W·m-1·K-1，抗弯强度为 540MPa，介电损耗为 6.36×10-3，而当 AlN 含量为 30wt% 时，材料的热导率仅为 5.8W·m-1·K-1，抗弯强度仅有 241MPa，介电损耗则增大到了 7.85 ×10-3。 关键词：Si3N4 陶瓷；热导率；烧结助剂；气压烧结；介电性能 I 山东理工大学硕士学位论文 Abstract Abstract With the development of electronic information technology, heat dissipation problems seriously restrict the electronic devices to the development of high-density, multifunction, high-speed and high-power. Silicon nitride ceramic is considered as a promising material in the field of high-speed circuits and electronic packaging materials, owing to its high intrinsic thermal conductivity (320W·m-1·K-1) similar to AlN, low thermal expansion coefficient close to silicon crystal, excellent electrical insulating and mechanical properties. In this paper, using MgO, Y2O3 and CeO2 as mixed sintering aids, Si3N4 ceramics were fabricated by GPS process under 1