氧化石墨烯对VS55冻融过程结晶行为的影响.PDFVIP

氧化石墨烯对VS55 冻融过程结晶行为的影响 1，2 1 1* 2 雒苗苗 ，郭宁 ，胥义 ，刘道平 , （1 上海理工大学生物系统热科学研究所，上海 200093 ） （2 上海理工大学制冷及低温工程研究所，上海 200093 ） 摘要：借助差示扫描量热仪 （DSC ）和低温显微系统，研究了升降温速率 （5 ℃/min 、10℃/min 、25 ℃/min 、50 ℃/min 和 100℃/min ）和氧化石墨烯 （graphene oxide ，GO ）浓度(0.01mg/ml 、0.1 mg/ml 、1mg/ml 和5mg/ml)对VS55 溶液降温 过程结晶和升温过程冰晶再生长的影响。结果表明： （1）随着升降温速率的增加，VS55 溶液体系在降温过程中的结晶 焓Hf 以及升温过程中的再结晶焓HTd 都会减小。 （2 ）对浓度为2.1M 的VS55 溶液进行降温时，GO 浓度越大，其结晶 焓H 越大，且初始冻结温度显著提高；但对4.2M VS55 降温时，其结晶焓H 会随着GO 浓度增加呈现出先减小后增大 f f 的特点；GO 对8.4M VS55 的冻结过程没有任何影响； （3 ）在升温过程中，GO 浓度越高，VS55 浓度越低，其溶液体 系内冰晶再生长抑制程度越大。总体来看，GO 对VS55 溶液降温过程冰晶生长特点的影响主要取决于VS55 浓度和GO 浓度，但对复温过程冰晶再生长特点的影响主要取决于 VS55 浓度、GO 浓度以及升降温速率。这些结论对于探索基于 GO 的低浓度、低毒性低温保护剂的方案提供重要指导意义。 关键词：结晶焓；氧化石墨烯；反玻璃化；VS55 EFFECTS OF GRAPHENE OXIDE ON THE CRYSTALLIZATION BEHAVIOROF VS55 DURING COOLINGAND WARMING Luo Miaomiao Guo Ning Xu Yi Liu Daoping （Institute of Biothermal Technology, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China ） Abstract The effects of cooling and warming rates(5℃/min,10℃/min,25℃/min,50℃/min and 100℃/min) as well as the concentration of graphene oxide(GO) (0.01mg/ml,0.1 mg/ml,1mg/ml and 5mg/ml)on the crystallization of VS55 were studied by Differential Scanning Calorimetry (DSC) and Cryomicroscope during both cooling and warming process. The results showed that: (1) As cooling and warming rates rised, both the freezing crystallization enthalpy Hf and the recrystallization enthalpy HTd became smaller. (2) For the case of cooling 2.1M VS55, the larger the concentration of GO, the mo