基于GeTe合金热电性能改性研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

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基于GeTe合金热电性能改性研究-材料物理与化学专业论文

Classified Index: TM23 U.D.C: 536.2 Dissertation for the Master Degree in Engineering PROPERTIES OPTIMIZATION OF GeTe ALLOY BASED THERMOELECTRIC MATERIAL Candidate: Li Longfei Supervisor: Prof. Song Shenhua Academic Degree Applied for: Master of Engineering Speciality: Materials Physics and Chemistry Affiliation: Shenzhen Graduate School Date of Defence: December, 2012 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 摘 要 热电 材 料在 全球 能 源 可持 续 发展 解决 方 案 领域 对 于发 电和 制 冷 具有 很好 的吸引力,改善材料的热电性能要求研究者对如何获得材料的最佳性能参数 有清楚的认识。GeTe 合金作为一种 p 型窄禁带半导体显示出优良的电学性能, 其电导率主要取决于 GeTe 晶格中 Ge 位提供的两个空穴载流子,这些载流子 不仅使得 GeTe 合金具有良好的电导率,同样,Ge 位空格也会降低其合金晶 格热导率,这使得 GeTe 合金可以通过掺杂改善其热电性能的一种 潜在热电 材料。 样品通过化学计量数称取并真空密封于石英玻璃管中,加热到 1237K 进 行高温熔炼然后液氮淬火,将铸态合金研磨成粉进行球磨,得到细小粉末。 测试样 品采 用放电 等 离子热 压烧 结方法 制 得,烧 结温度 823K,烧结 时间 5 分钟,轴向压力为 48MPa,脉冲峰值电流为 675A。所获得的样品具有良好 的机械性能,其密度可以达到 6.2g/cm3。 在 GeTe 合金中引入 Ag 元素可以析出 Ag8GeTe6,形成(GeTe)1-x(Ag8GeTe6)x 赝二元合金,其中 x = 0.02, 0.05, 0.08 和 0.11,其样品通过熔炼、球磨、放电 等离子热压烧结方法制得。实验结果显示 Ag8GeTe6 的析出增加了 GeTe 合金 在低温部分的电阻率,降低了其在高温条件下的电阻率,稳定了 GeTe 合金 电阻率对温度的依赖性,Ag8GeTe6 的析出还略微降低了 Seebeck 系数,但明 显降低了其热导率,因而热电性能得到很大的改善, (GeTe)0.89(Ag8GeTe6)0.11 的热电优值系数达到最大值,在 673K 时,ZT 值为 1.15。 AgxBixGe1-xTe1+x 合金是在 GeTe 中引入等量的 Ag 和 Bi,这样一方面可以 在 GeTe 上析出 AgBiTe2 相,另一方面,杂质原子会进入到 GeTe 中取代 Ge 原子,造成晶格畸变,引起晶格常数的变化,这都会导致材料热导率的降低, 更为重要的是,晶格常数的变化很大程度上提高了材料的 Seebeck 系数,因 而从本质上改善了材料的热电性能 ,其最大的 Seebeck 系数可以达到 2.00 × 10-4 V/K,最大优质系数在掺杂量为 10%时达到了 1.23。 关键词:热电性能;GeTe;热导率;共晶组织;优质系数 Abstract Thermoelectric materials are attractive for electrical power generation and refrigeration as a global sustainable energy solution. Improvement for thermoelectric properties requires a better understanding of how the optimal parameters can be achieved in the given system. As a p-type narrow band semiconductors, the alloy of GeTe shows excellent electrical transmission performance, whose conductivity is determined by vacancies on the Ge sites. These vacancies on the Ge sites affect not only the electric properties via generation of

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