基于InAs纳米体系的电子结构和输运特性第一性原理研究-物理学专业论文.docxVIP

湖 南 大 学 学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取 得的研究成果。除了文中特别加以标注引用的 内容外，本论文不包含任 何 其他个人或集体已经发表或撰写的成果作品。 对本文的研究做出重要贡 献 的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。 本人完全意识到本声明的 法 律后果由本人承担。 作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学 校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复 印件和电子版，允许论文 被 查阅和借阅。本人授权湖南大学可以将本学位 论文的全部或部分内容编 入 有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或 扫描等复制手段保存和汇 编 本学位论文。 本学位论文属于 1、保密□，在______年解密后适用本授权书。 2、不保密□√ 。 （请在以上相应方框内打“√”） 作者签名： 日期： 年 月 日 导师签名： 日期： 年 月 日 摘 要 以传统 Si 材料为主的场效应晶体管半导体工业和电子器件以指数增加，实现 Si 晶体管在电路高度集成，现代半导体电子器件不断微型化，然而目前传统 Si 技术已经达到物理极性，随着器件尺度减小，Si 纳米器件带来许多问题如：发热、 低迁移率和电流开关比等，迫使人们寻找满足微纳米电子器件高性能要求的其他 材料。 III-V 族半导体, 如 InAs、GaSb，具有优于 Si 材料输运特性，具有优异电 学特性，可以突破 Si 技术瓶颈，成为将来高性能半导体纳米电子器件的较佳选择 材料。本文基于密度泛函理论运用第一性原理方法，研究 InAs 纳米线在量子尺寸 效应和表面效应作用下电子结构和输运特性的变化，研究组份比、应力和掺杂对 GaSb/InAs 核壳纳米线电子结构和载流子迁移率调制作用，以及研究 InAs 与二维 材料的纳米复合结构光学吸收特性，获得一些结果如下： 首先，我们应用第一性原理计算方法研究闪锌矿和纤锌矿InAs纳米线电子 结 构，分析量子尺寸效应和表面效应对纳米线电子结构影响机理，比较InAs纳米线 表面原子悬挂键饱和前后电子结构和输运性质变化，解释钝化方法对纳米线输运 特性改善的原因。 研究结果表明InAs纳米线在不同晶体结构和生长方向条件下， 纳米线的带隙随着直径增大而减小，带隙变化量与直径D形成 ΔEg = β / Dα 非线性 函数关系；导带(价带)能量随着纳米线直径减少而降低(增大)，导带受量子效应的 作用比价带更显著，引起导带变化幅度大于价带，导致纳米线带隙与直径的非线 性变化。此外， InAs纳米线载流子的有效质量值随直径增大而减小，利于载流子 迁移率的提高，特别是，闪锌矿 [111]方向生长的InAs纳米线直径超过26 ?时， 电子有效质量小于其空穴有效质量，利于电子载流子在InAs纳米线的输运。用赝 氢原子饱和纳米线表面悬挂键，消除带隙中表面态，减少电荷密度在表面分布， 降低载流子在表面散射，同时通过这种钝化方法减小电子有效质量，促进纳米线 迁移率提高。 其次，研究应力以及核 /壳组份比例对闪锌矿 [111]方向和纤锌矿 [0001]方向 GaSb/InAs核壳 (core-shell)纳米线电子结构的调控。从计算结果，我们发现沿着 [111]方向生长的闪锌矿结构 GaSb/InAs核壳纳米线受单轴的压缩应力作用后，其 半导体能带对方方式发生第二类对齐到第一类对齐改变，并伴随直接带隙到间接 带隙转变的发生，但是沿着纤锌矿[0001]方向生长的GaSb/InAs核壳纳米线，无论 在单轴压缩应力还是拉伸应力作用下，都保持原来的半导体能带第二类对齐方式。 与此同时，改变GaSb和InAs在核壳纳米线的核/壳组份比例实现带隙和载流子有效 质量可调；位于核壳纳米线内部的GaSb纳米线直径在不变情况下，核壳纳米线能 隙随着外层InAs厚度增加而减小，对结果进行拟合得出一种线性减小的关系，预 言外层InAs增加到某个临界厚度时，核壳纳米线的能带结构出现零带隙，发生半 导体到金属性质的改变；调节 InAs纳米线厚度，在闪锌矿 [111]方向 GaSb/InAs核 壳纳米线中，实现选择不同输运载流子(电子、空穴)作为主导的输运特性。 接下来，研究Zn原子对不同生长方向GaSb/InAs核壳纳米线p型掺杂行为，运 用形变势理论，计算 GaSb/InAs核壳纳米线经 Zn原子掺杂前后电子迁移和空穴迁 移率，同时比较 Zn掺杂 GaSb/InAs二维异质节薄膜电子结构。研究结果表明，在 闪锌矿 [111]方向 GaSb/InAs核壳纳米线结构中， Zn掺杂外层 InAs形成的空穴态在 无需激发能条件下，利用核壳间的价带带阶，自动从外层注入到内层GaSb纳米线， 提高内部