本征半导体是指纯净的半导体的。 本征半导体的导电性能在导体与绝缘体之间。.pptVIP

上页 下页 返回 退出 上页 下页 返回 退出 本征半导体是指纯净的半导体。 本征半导体的导电性能在导体与绝缘体之间。 电子导电：导带中的电子在外磁场中的定向运动。 空穴导电：满带中存在空穴的情况下，电子在满带内的迁移，相当于空穴沿相反方向运动。空穴相当于带正电的粒子。 满带上的一个电子跃迁到导带后,满带中出现一个空位，称为空穴。 一、电子和空穴 §14-3 半导体 GaAs的扫描隧道显微镜图像 空带 满带 满带上带正电的空穴向下跃迁也能形成电流,这称为空穴导电。 ?Eg 在外电场作用下, 空穴下面能级上的电 子可以跃迁到空穴上 来, 这相当于空穴向 下跃迁。 1. n型半导体 四价的本征半导体 Si、Ge等，掺入少量 五价的杂质元素（如P、As等）形成电子型半 导体,称n型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的能 级在禁带中紧靠空带处, ?ED～10-2eV，极易形 成电子导电。 该能级称为施主能级。 二、杂质的影响 n 型半导体 在n型半导体中 空 带 满 带 施主能级 ED Eg Si Si Si Si Si Si Si P 空穴（少数载流子） 电子（多数载流子） 2. p型半导体 四价的本征半导体Si、Ｇe等，掺入少量三价的杂质元素(如B、Ga、In等)形成空穴型半导体，称p型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处，?ED～10-2eV,极易产生空穴导电。 该能级称受主能级。 空 带 Ea 满 带 受主能级 P型半导体 Eg 在p型半导体中 电子（少数载流子） 空穴（多数载流子） Si Si Si Si Si Si Si B + 电阻与温度的关系 导体的电阻率随 温度的升高而增大。 金属 半导体的电阻率随温度的升高而急剧地下降。 由于半导体中的电子吸收能量后，受激跃迁到导带的数目增多。 利用半导体的这种 性质可以制成热敏电阻。 半导体 三、电阻率和温度的关系 半导体在光照射下，电子吸收能量后，向导带跃迁。导电能力会增大，这种现象又称为内光电效应。 利用半导体的光电导现象可以制成光敏电阻。 四、半导体的光电导现象 五、pn结 使p型半导体和n型半导体相接触，或在本征半导体两端各掺入施主杂质和受主杂质，它们交界处的结构称为pn结。 p区空穴多电子少，n区电子多空穴少，因此p区中的空穴将向n区扩散，n区的电子将向p区扩 散，在交界处形成正负电荷的积累层，在p区的一 侧带负电，在n区的一侧带正电，这一电偶层形成 的电场将遏止电子和空穴的继续扩散，最后达到 动态平衡。 在pn结处形成一定的电势差 。 p n p n pn结 pn结的能带情况 正向连接 p n 当pn结正向连接时，外电场方向与pn结中的电场方向相反，结中电场减弱，势垒降低，扩散增强，形成正向电流。 当pn结反向连接 时，外电场方向与pn 结中的电场方向相同， 结中电场增强，势垒 升高，少数载流子在 电场作用下移动形成 反向电流。 n p 反向连接 pn结的伏安特性 pn结具有单向导电性，在电路中可以起 到整流作用。 选择进入下一节 §14-0 教学基本要求 §14-1 激光 §14-2 固体的能带结构 §14-3 半导体 §14-4 超导体 §14-5 团簇和纳米材料