金属—氧殿化物—半导体场效应晶体管.pptVIP

第六章 金属—氧化物—半导体场 效应晶体管Lienfeld和Heil于30年代初就提出了表面场效应晶体管原理。40年代末Shockley和Pearson进行了深入研究。1960年Kahng和Alalla应用热氧化硅结构制造出第一只MOSFET. MOSFET是大规模集成电路中的主流器件。 MOSFET是英文缩写词。其它叫法：绝缘体场效应晶体管（IGFET）、金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（MISFET）、金属-氧化物-半导体晶体管（MOST）等。 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 理想MOS结构基于以下假设： （1）在氧化物中或在氧化物和半导体之间的界面上不存在电荷。 （2）金属和半导体之间的功函数差为零，如绘于图6-2b中的情形。 〔由于假设（1）、（2），在无偏压时半导体能带是平直的。〕 （3） 层是良好的绝缘体，能阻挡直流电流流过。因此，即使有外加电压，表面空间电荷区也处于热平衡状态，这使得整个表面空间电荷区中费米能级为常数。这些假设在以后将被取消而接近实际的MOS结构。 6.1 理想MOS结构的表面空间电荷区 半导体表面空间电荷区 ： 每个极板上的感应电荷与电场之间满足如下关系 （6-1）