第四章材料娜的电学.ppt

4.3 电介质 y A x z ? d? dS ?? 洛仑兹电场 4.3 电介质 E2=？ 1.气体、非极性液体介质 气体：E2=0 非极性液体： E2=0 2.简立方晶体：E2=0 莫索缔内电场 （MOSSOTTI） 4.3 电介质 克-莫方程 克-莫方程的适用范围： 非极性电介质：只有电子位移极化 气体电介质：分子无规则排列，无相互作用 非极性液体电介质： 高对称性立方晶格离子或原子晶体 克-莫方程不适用于： 极性液体介质 固体分子间相互作用强的固体电介质。 4.3 电介质 光频下的介电体 L-L方程 只考虑电子极化率 Debye方程 玻璃的Debye方程 由于离子松弛极化 4.3 电介质 在电场的作用下，极化的建立需要经过一定的时间才能达到平衡状态，如电子位移极化和离子位移极化需10-16~10-12秒，松弛极化，如偶极矩转向和热离子极化需10-10秒或更长，对静电场来说是有足够的时间让极化建立起来。 E t E、P P t0 电损耗 在交变电场中，极化的方向随电场的方向变化而变化，如电场的频率很高，极化可能就跟不上电场的变化。 4.3 电介质 在交变电场下： 1）理想介质（无松弛极化）： 2）有松弛极化： 4.3 电介质 无功电流 有功电流 4.3 电介质 电损耗的微观机制 普通无机晶体介质(NaCl, SiO2等) 只有位移极化，损耗来源：离子电导，与电导率成正比 无定形玻璃介质 电导损耗、松弛损耗和结构损耗（Si-O网络变形） 多晶陶瓷 离子电导，松弛损耗和夹层损耗 多相复合介质 界面电荷积累——“夹层极化” 4.3 电介质 电击穿 U I O Ub Ub为击穿电压（击穿电场Eb=Ub/d，d为介质厚度） 4.3 电介质 固体介质击穿的一般规律： 固体介质的击穿电场大于液体和气体介质 Eb（气体）=3?106V/m Eb（液体）=107~108V/m Eb（固体）=108~109V/m 固体介质击穿是永久性的 从击穿过程看： -电场的破坏——变成导体——电击穿； -介质本身的破坏：a）热破坏——热击穿；b）机械破坏——机械击穿 4.3 电介质 电击穿的特点： 电击穿必须满足：电导率?小、tan?小、散热条件好，无气隙、无边缘放电。 b.击穿电场范围较窄：108~109V/m 4.3 电介质 d?10-7 Eb 1 4.3 电介质 T Eb Eb t 4.3 超导体 超导体（superconductor）。当某导体在一温度下，可使电阻为零而称之。零电阻和抗磁性是超导体的两个重要特性。使超导体电阻为零的温度，叫超导临界温度 1911年，荷兰科学家昂内斯(Onnes)用液氦冷却汞，当温度下降到绝对温标4.2K时水银的电阻完全消失，这种现象称为超导电性，此温度称为临界温度。根据临界温度的不同，超导材料可以被分为：高温超导材料和低温超导材料。但这里所说的「高温」，其实仍然是远低于冰点摄氏0℃的，对一般人来说算是极低的温度。1933年，迈斯納和奧克森菲尔德两位科学家发现，如果把超导体放在磁场中冷却，则在材料电阻消失的同时，磁感应线将从超导体中排出，不能通过超导体，这种现象称为抗磁性。 卡末林-昂内斯 1913 Nobel 4.3 超导体 金属导体的电阻会随着温度降低而逐渐减少。然而，对于普通导体如铜和银，纯度和其它缺陷也会影响其极限。即使接近绝对零度时，纯样的铜也仍然保有电阻值。 而超导体的电阻值，相反地，则是当材料低于其“临界温度”时，电阻会骤降为零，通常在绝对温度 20 度或更低时。在超导体线材里面的电流能够不断地持续而不需提供电能。如同磁性和原子能谱等现象，超导特性也是种量子效应。这种性质无法单纯靠传统物理学来理解。 4.3 超导体 超導體 一般導體 迈斯纳效应 4.3 超导体 铜氧钙钛陶瓷材料等系列 1986 90Ｋ 1987， 钇－钡－铜－氧系材料 90Ｋ 1987 铊－钡－钙－铜－氧系材料 125K 超导材料二硼化镁 2007 234K 4.3 超导体 超导现象可在各种不同的材料上发生，包括单纯的元素如锡和铝，各种金属合金和一些经过布涂的半导体材料。超导现象不会发生在贵金属像是金和银，也不会发生在大部分的磁性金属上。 在1986年发现的铜氧钙钛陶瓷材料等系列，即所谓的高温超导体，具有临界温度超过90度Ｋ的特质，基于各种因素促使学界又再度燃起研究的兴趣。对于纯研究的领域而言，这些材质呈现一种现象是目前理论所无法解释的。而且，因为这种超导状态可在较容易达成的温度下进行，尤其若能发现具备更高临界温度的材料时