第7章mems工艺体硅微加走工技术.ppt

第7章MEMS工艺——体硅微加工工艺（腐蚀）;内容;腐蚀工艺简介;大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。 “Top-Down”加工思想：通过去掉多余材料的方法，实现结构的加工。（雕刻——泥人）;;图形工艺 掩模图形生成 台阶结构生成 衬底去除 牺牲层去除 清洁表面 ;;湿法腐蚀;湿法腐蚀——方向性;各向异性腐蚀和各向同性腐蚀;硅的各向异性腐蚀;硅的各向异性腐蚀技术;湿法腐蚀的化学物理机制;湿法腐蚀的化学物理机制;硅腐蚀机理（P62） ;;;;各向异性腐蚀的特点： 腐蚀速率比各项同性腐蚀慢，速率仅能达到1um/min 腐蚀速率受温度影响 在腐蚀过程中需要将温度升高到100℃左右，从而影响到许多光刻胶的使用;各向异性腐蚀液;1.KOH system;1.KOH system;KOH的刻蚀机理;2.EDP system;2.EDP system;EDP腐蚀条件;3、N2H4 （联氨、无水肼）;4、TMAH ;腐蚀设备;硅和硅氧化物典型的腐蚀速率 ;影响腐蚀质量因素;Etching Bulk Silicon ;车轮法来测量平面上不同晶向的腐蚀速率（有局限性） 更准确的反映腐蚀各向异性的是球形法（正相或负相）;;?111?面凹角停止;(1) 溶液及配比 ;(2) 温度;各向同性腐蚀;优点： 无尖角， 较低应力 刻蚀速度快 可用光刻胶掩膜;三、自停止腐蚀技术;（1） 重掺杂自停止腐蚀(KOH和EDP：5?1013/cm3) （2）(111)面停止 （3） 时间控制 （4）P-N结自停止腐蚀 （5）电化学自停止腐蚀;自停止腐蚀典型工艺流程;1、薄膜自停止腐蚀;2 、重掺杂自停止腐蚀技术;高掺杂硼有两个缺点： 与标准的CMOS工艺不兼容 导致高应力，使得材料易碎或弯曲 重掺杂硼的硅腐蚀自停止效应比重掺杂磷的硅明显，所以工艺中常采用硼重掺杂硅作为硅腐蚀的自停止材料。;重掺杂自停止腐蚀工艺流程;3、（111）面自停止腐蚀;（111）面自停止腐蚀工艺流程;4、电化学自停止腐蚀;腐蚀保护技术;薄膜残余应力问题;凸角腐蚀补偿;凸角腐蚀补偿;目前比较常见的补偿方式;（100）面双方块凸角腐蚀补偿;（100）面双方块凸角腐蚀补偿;（100）面双方块凸角腐蚀补偿; 湿法腐蚀的缺点：图形受晶向限制，深宽比较差，倾斜侧壁，小结构粘附。 ;干法刻蚀的优点： 具有分辨率高、各向异性腐蚀能力强、腐蚀的选择比大、能进行自动化操作等 干法刻蚀的过程： 腐蚀性气体离子的产生 离子向衬底的传输 吸附及反应 衬底表面的腐蚀 钝化及去除 腐蚀反应物的排除;干法腐蚀的主要形式： *纯化学过程：（等离子体腐蚀 ) *纯物理过程： (离子刻蚀、离子束腐蚀） *物理化学过程：反应离子腐蚀RIE ，感应耦合等离子体刻蚀ICP.;在物理腐蚀方法中，利用放电时所产生的高能惰性气体离子对材料进行轰击，腐蚀速率与轰击粒子的能量、通量密度以及入射角有关； 在化学腐蚀中，惰性气体（如四氟化碳）在高频或直流电场中受到激发并分解（如形成氟离子），然后与被腐蚀材料起反应形成挥发性物质； 在物理化学结合的方法中，既有粒子与被腐蚀材料的碰撞，又有惰性气体与被腐蚀材料的反应。;反应离子刻蚀;等离子腐蚀;;? 离子轰击的作用： 1.将被刻蚀材料表面的原子键破坏； 2.将再淀积于被刻蚀表面的产物或聚合物打掉;DRIE、ICP刻蚀工艺;1.现象 （1）各向同性腐蚀 （2）各向异性腐蚀 （3）溅射腐蚀 ;（1）速率高 （2）环境清洁，工艺兼容性好。 （3）掩膜选择性好 30：1 （4）表面光洁度好，应力集中少 （5）无晶向限制 ;（1）好的截面形状，易于满足铸模要求。 （2）高的??蚀速率，适于体硅要求。 （3）利用各向同性腐蚀，满足牺牲层腐蚀要求。 （4）可用于活动结构制作。 （5）可用于高深宽比结构制作。 ;反应离子深刻蚀;反应离子深刻蚀的要求： 需要较高的刻蚀速率，否则刻穿500um厚的硅片需要太长的时间； 需要极好的各向异性，即刻蚀的边壁垂直。 除了离子物理溅射之外，反应离子刻蚀从本质上是各向同性，为了阻止或减弱侧向刻蚀，只有设法在刻蚀的侧向边壁沉积一层抗刻蚀的膜。;Bosch工艺和Cryogenic工艺;八氟环丁烷离化后在底面和侧壁形成聚合物钝化层。 通入刻蚀气体SF6刻蚀掉底部钝化层，并进一步刻蚀硅。新暴露的侧壁被新的钝化层覆盖。;离子溅射刻蚀;反应气体刻蚀;;作业