脉冲激光沉积法生长掺杂zno基薄膜及其相关器件研究-材料物理与化学专业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘要摘要 摘要 摘要 氧化锌(ZnO)是一种新型的氧化物半导体材料，具有直接带隙的能带结构， 室温下的禁带宽度为3．37 eV，激子束缚能高达60 meV，在下一代短波长光电器 件如蓝紫光发光二极管(LEDs)和激光器(LDs)等方面具有潜在应用前景。要实现 ZnO在这些光电子器件中的广泛应用，首先必须得到性能良好的n型和P型材料。 ZnO的n型掺杂主要集中在III族元素(如A1、Ga、In)，而理论研究表明F也是 ZnO的一种良好的11型掺杂剂，但关于F掺杂ZnO体系的研究工作进展缓慢， 因此本论文开展了F掺杂ZnO透明导电薄膜方面的研究。另一方面，对于ZnO 的P型掺杂，由于其存在非对称掺杂局限性使性能良好且稳定的P型ZnO薄膜 难以实现，是制约其在光电器件得到应用的最大瓶颈。此外，当前国际上对于何 种元素是ZnO最佳受主的问题仍然没有统一的定论。因此本论文的重要内容之 一是探求合适的P型掺杂元素和掺杂技术，并结合理论和实验进一步探讨其掺杂 机理。本论文的主要工作包括如下内容： 1．利用脉冲激光沉积技术制备了F掺杂ZnO透明导电薄膜，系统地研究了 氧偏压对薄膜性能的影响。当氧偏压为O．1 Pa时，薄膜的电学性能最佳：电阻率 4．83x104Qcm，载流子浓度5．43x1020cm-3和Hall迁移率23．8 em2V。1S．1，可见光 内的平均透过率约90％，在1500 hill处透过率约60％；并以此为基础制备了顶 栅结构的全透明ZnO薄膜晶体管，以ZnO薄膜为沟道层，ZnO：F透明导电薄膜 作为栅极、源极和漏极的电极材料，栅极绝缘层是Ta20，薄膜。 2．采用脉冲激光沉积技术实现Li．F共掺杂ZnO薄膜P型导电的转变，研 究了衬底温度对薄膜性能的影响。当衬底温度为550oC时，薄膜具有最好的P 型导电性能：电阻率23．45 Qcm，空穴浓度7．57x1017 cm3和Hall迁移率0．35 cm2V。1s～。进一步利用基于密度泛函理论的第一性原理对ZnO：(Li，F)体系进行了 理论计算，探索Li．F共掺杂技术实现P型ZnO的机理。 3．用脉冲激光沉积法成功制备出了Ag掺杂P型ZnMgO薄膜，详细地研究 了衬底温度对薄膜性能的影响。XPS分析表明薄膜中Ag以Ag+形式存在并占据 Zn格点位置；当衬底温度为400 oC时，薄膜呈现最好的P型导电性能：电阻率 24．96f!cm，空穴浓度7．89x1017cm。3和Hall迁移率0．32 cm2VJs～，且P型导电性 具有良好的稳定性；并对ZnMgO：Ag和ZnO：Ag薄膜进行了对比研究，结果发现 引入Mg之后的ZnMgO：Ag薄膜不仅可以使本征施主态能级加深，同时能有效 抑制氧空位的形成，导致本征施主态对受主的补偿作用降低，有利于薄膜P型掺 杂的实现。 浙江人学博士学位论文关键词： 浙江人学博士学位论文 关键词：ZnO薄膜，ZnMgO薄膜，P型掺杂，透明导电薄膜，光电特性，第一 性原理，脉冲激光沉积． Ⅱ AbstractAbstract Abstract Abstract Zinc oxide(ZnO)，as a novel oxide semiconductor而Ⅱl a direct band—gap structure，has been considered as a very promising material for the next-generation short—wavelength optoelectronic devices，such as light-emitting diodes(LEDs)and laser diodes(LDs)due to a wide band-gap of 3．37 eV and a large excition binding energy of 60 meV．To realize these device applications，ail imperative issue is to fabrication botll high-qulity n·and p-type ZnO．Most of the previous studies related to ZnO—based transparent conducting thin films were carried out using metallic cation dopants such as Group IIIA(e．g．，A1，Ga，and In)．However,fluorine Can be a promising n-type anion doping candidate．To the best of our