集成电路设计基础---工艺部分2.ppt

* * 2．掺杂氧化物的化学气相淀积 二氧化硅要用磷或硼掺杂，可以提高玻璃的介电特性。另外退火时候玻璃能够流动，得到平坦的表面 3. 氧化层抛光（CMP） 4．第九层掩膜(光刻9) “局部互连” 局部互连刻蚀 * LI金属的制作 1.金属钛淀积(PVD工艺) 钛衬垫于局部互联沟道的底部和侧壁上，充当钨和二氧化硅的粘合剂 2. 氮化钛(TiN)淀积 TiN淀积于钛金属层的表面，充当金属钨的阻挡层 3. 钨淀积(CVD工艺) 4. 磨抛钨(CMP工艺) 九．通孔1和钨塞1的形成 * 通孔1的制作 1．第一层层间介质氧化物淀积（CVD） 2．氧化物磨抛（CMP） 3．第十层 掩膜(光刻10) “ILD-1” 第一层层间介质刻蚀 * 钨塞1的制作 1.???金属淀积钛阻挡层（PVD） 钨充当将钨限制在通孔中的粘合剂 2.?? 淀积氮化钛（CVD） 氮化钛充当钨的扩散阻挡层 3．淀积钨（CVD） 4. 磨抛钨（CMP） 十．第一层金属（金属1）互连的形成 * 金属1互连的制作 1．金属钛阻挡层淀积（PVD） 钛充当钨塞和下层金属铝之间的良好键合 2．淀积铝铜合金（PVD） 铝不稳定，铝中加入1％的铜，提高了铝的稳定性 3．淀积氮化钛（PVD） 氮化钛充当下一次光刻中的抗反射层 4．第十一层掩膜(光刻11) “金属1互连” 金属刻蚀 十一. 通孔2和钨塞2的形成 * 通孔2的制作 1. ILD-2间隙填充 2．ILD-2氧化物淀积 3．ILD-2氧化物平坦化（CMP） 4．第十二层掩膜(光刻12) ILD-2刻蚀 * 钨塞2的制作 1．金属淀积钛阻挡层（PVD） 2．淀积氮化钛（CVD） 3．淀积钨（CVD） 4．磨抛钨（CMP） 十二. 第二层金属（金属2）互连的形成* 金属2互连的制作1．? 淀积、刻蚀金属22．? 填充第三层层间介质间隙3．? 淀积、平坦化ILD-3氧化物4. 刻蚀通孔3，淀积钛/氮化钛，淀积钨，平坦化 十三. 制作第三层金属（金属3）直到 制作压点和合金 * * * * * * * * 5. 退火 退火的作用是什么？ * p 阱的形成 1. 第二层掩膜(光刻2) “p阱注入” 2. p阱注入 硼注入 3. 退火 二.浅槽隔离(STI)工艺Shallow-trench isolation * 槽刻蚀1．长隔离氧化层（作用：保护有源区在去掉氮化物的过程中免受化学沾污） 2. 氮化硅淀积  Si3N4 （做为坚固的掩膜材料，有助于STI氧化物淀积过程中保护有源区；CMP过程中充当抛光的阻挡材料） 3.第三层 掩膜(光刻3) “浅槽隔离” 4. STI槽刻蚀 在外延层上选择刻蚀开隔离区 5.去光刻胶 * STI氧化物填充 沟槽衬垫氧化硅 （改善硅与沟槽填充氧化物之间的界面特性） 2. 沟槽CVD氧化物填充 隔离槽CVD氧化硅 * STI 氧化层抛光 — 氮化物去除 1.沟槽氧化物抛光(CMP) Chemical-mechanical polishing 2. 氮化物去除 三．多晶硅栅结构工艺 1．栅氧化层的生长 2．多晶硅淀积 3．第四层 掩膜(光刻4) “多晶硅栅” 4．多晶硅栅刻蚀 四．轻掺杂漏（LDD）注入工艺 * n- 轻掺杂漏注入 1．第五层掩膜(光刻5) “n-LDD注入” 2．n- LDD注入 砷注入 LDD的作用是什么？ 大质量的掺杂材料使得硅片的上表面成为非晶态，有助于维持浅结和获得更均匀的掺杂浓度。 * p- 轻掺杂漏注入1．第六层掩膜(光刻6) “p-轻掺杂注入” 2．p- LDD注入 BF2注入 五．侧墙的形成 1．淀积二氧化硅 2．二氧化硅反刻 用各向异性等离子刻蚀机进行侧墙反刻 六．源/漏注入工艺 * n+ 源/漏注入 1．第七层掩膜(光刻7) “n+源/漏注入” 2．n+源漏注入 砷注入 * p+ 源/漏注入 1．第八层掩膜(光刻8) “p+源/漏注入” 2．p+源/漏注入 硼注入 3．退火 侧墙的作用？ 保护沟道，在注入过程中阻止掺杂原子